| 講演名 | 2010-01-14 Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 金澤 徹, 若林 和也, 齋藤 尚史, 寺尾 良輔, 田島 智宣, 池田 俊介, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | 2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用いたMOSFETが一つの候補として考えられる。今回、駆動能力向上のためInP/InGaAsコンポジットチャネルを有するMOSFETに対して高誘電率ゲート絶縁膜としてALD法を用いてAl_2O_3膜を導入した結果に関して報告する。ドレイン電圧1Vにおける伝達コンダクタンスは最大150mS/mmが得られており、SiO_2をゲート絶縁膜とした場合と比較して駆動能力は若干向上することが分かった。また、デバイス完成後にN_2雰囲気中で350℃のアニールを行うことにより伝達コンダクタンスは270mS/mmまで向上し、サブスレッショルドスロープも731mV/decから179mV/decまで改善されることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | III-V semiconductor device technology will potentially be combined with the LSI technology to realize circuits with capabilities that are greater than those of current CMOS circuits. In this report, we have demonstrated undoped InP 5 nm/InGaAs 12 nm composite channel III-V MOSFET with Al_2O_3 gate dielectric. The maximum transconductance(gm)at V_d=1 V was 150 mS/mm it was higher than the g_m of MOSFET with SiO_2 gate dielectric. Moreover, g_m was improved to 270 mS/mm and subthreshold swing was decreased to 179 mV/dec from 731 mV/dec using the rapid thermal annealing at 350°C in N_2 ambient. |
| キーワード(和) | MOSFET / III-V族化合物半導体 / high-k絶縁膜 / 高移動度チャネル |
| キーワード(英) | MOSFET / III-V compound semiconductor / high-k dielectric / high mobility channel |
| 資料番号 | ED2009-181,MW2009-164 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InP/InGaAs composite channel MOSFET with Al2O3 gate dielectric |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V compound semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | high-k絶縁膜 / high-k dielectric |
| キーワード(4)（和/英） | 高移動度チャネル / high mobility channel |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金澤 徹 / Toru KANAZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 若林 和也 / Kazuya WAKABAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 尚史 / Hisashi SAITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 寺尾 良輔 / Ryosuke TERAO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田島 智宣 / Tomonori TAJIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 池田 俊介 / Shunsuke IKEDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / Kazuhito FURUYA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-01-14 |
| 資料番号 | ED2009-181,MW2009-164 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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