| 講演名 | 2010-01-13 60GHz帯における帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器の理論及び実験的検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 大上 晃一, 黒木 太司, 米山 務, |
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| 抄録(和) | 自走式NRDガイドガン発振器の誘電体線路に高Q共振器を側結合させた帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器の発振周波数、Qファクタ、及びQファクタから計算した位相雑音の評価を行った。計算と実験を比較したところ、両者の傾向は概ね一致し、帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器は帯域反射形のそれと比べてQファクタが高く、良好な位相雑音特性を示すことが明らかになった。 |
| 抄録(英) | The band-stop type of self-injection locked NRD guide Gunn oscillator, which consists of a high-Q ceramic resonator side-coupled to a dielectric strip of the free-running NRD guide Gunn oscillator, was analyzed from the viewpoints of the oscillation frequency, Q-factor, and phase noise. Good agreement of the tendency between the calculated and measured oscillation performance was quite satisfactory, and thus the analytical procedure proposed in this paper was confirmed. In addition, it is obvious that the band-stop type of self-injection locked NRD guide Gunn oscillator has good advantage such as high Q-factor as well as low phase noise compared with that of the reflection type of self-injection locked one at 60GHz. |
| キーワード(和) | ミリ波 / NRDガイド / ガン発振器 / 自己注入同期 |
| キーワード(英) | Millimeter-waves / NRD guide / Gunn oscillator / Self-injection locking |
| 資料番号 | ED2009-180,MW2009-163 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 60GHz帯における帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器の理論及び実験的検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analytical and Experimental Considerations on Locking Characteristics of Band-stop Type of Self-injection Locked NRD Guide Gunn Oscillator at 60GHz |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / Millimeter-waves |
| キーワード(2)（和/英） | NRDガイド / NRD guide |
| キーワード(3)（和/英） | ガン発振器 / Gunn oscillator |
| キーワード(4)（和/英） | 自己注入同期 / Self-injection locking |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大上 晃一 / Ko-ichi OHUE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (独)国立高等専門学校機構呉工業高等専門学校 Kure National College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒木 太司 / Futoshi KUROKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (独)国立高等専門学校機構呉工業高等専門学校 Kure National College of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 米山 務 / Tsukasa YONEYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北工業大学 Tohoku Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-01-13 |
| 資料番号 | ED2009-180,MW2009-163 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |