| 講演名 | 2010/5/6 DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 渡邉 新, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | GaNは高出力・高周波デバイス用材料として実用化が進められている.Si基板は良好な熱伝導率を有し,廉価で高品質大口径基板が手に入り,GaN系デバイス用基板として有望である.しかし,Si基板上のIII族窒化物半導体では格子定数のミスマッチのため,GaN結晶中に深い準位を形成する可能性がある.本報告ではDLTS法を用いてSi基板上n-GaN中の深い準位を評価した結果を報告する. |
| 抄録(英) | GaN and its alloys have found broad application for the visible to ultraviolet optoelectronics, high frequency, high power, and high temperature electron devices. Over a decade, the growth of these nitrides on Si substrate has become a subject of great interest, because of the numerous advantages like significantly lower cost, good thermal conductivity, and availability in large diameter. However, there are some difficulties in the growth of GaN on Si, especially deep traps of GaN due to lattice mismatch between them. In this paper, we report electron traps in n-GaN grown on Si substrates by MOCVD, and analyzed the crystal quality, electrical properties and investigated the deep traps by DLTS measurement. |
| キーワード(和) | Si基板 / GaN / DLTS / deep level / MOCVD |
| キーワード(英) | Si substrate / GaN / DLTS / deep level / MOCVD |
| 資料番号 | CPM2010-7,ED2010-17,SDM2010-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/5/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of Electron Traps in n-GaN on Si(111) Substrates by Deep-Level Transient Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(4)（和/英） | deep level / deep level |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邉 新 / Arata WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010/5/6 |
| 資料番号 | CPM2010-7,ED2010-17,SDM2010-17 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 30 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |