| 講演名 | 2010-01-29 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般) 藤岡 裕己, 山本 直克, 赤羽 浩一, 川西 哲也, 高井 裕司, |
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| 抄録(和) | レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。 |
| 抄録(英) | A control technique of optical-wave conditions is one of the important issues for developing novel photonic devices. Difficult fabrication techniques with a high-aspect ratio are required to achieve a controlling the optical-wave conditions in the conventional photonic devices, since the conventional photonic devices are constructed with thick-cladding layers for a confinement of the optical waves. Therefore, we propose a half-cladding semiconductor light source as a novel photonic device structure. By using the half-cladding semiconductor structure, it is expected that the optical-wave conditions in the device can be effectively controlled with surface micro structures. In this paper, we report here the fabrication tchniques and device characteristics of the half-cladding semiconductor light source. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 光波制御 / 異方性エッチング / 選択酸化 / 半導体ハーフクラッド構造 |
| キーワード(英) | Semiconductor laser diode / Control of optical-wave / Anisotropic chemical etching / Selective oxidation / and Half-cladding semiconductor structure |
| 資料番号 | PN2009-50,OPE2009-188,LQE2009-170 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | PN |
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| 開催期間 | 2010/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Photonic Network (PN) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Half-cladding semiconductor light source for control of optical-wave |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor laser diode |
| キーワード(2)（和/英） | 光波制御 / Control of optical-wave |
| キーワード(3)（和/英） | 異方性エッチング / Anisotropic chemical etching |
| キーワード(4)（和/英） | 選択酸化 / Selective oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体ハーフクラッド構造 / and Half-cladding semiconductor structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤岡 裕己 / Hiroki FUJIOKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京電気大学 Tokyo Denki University (TDU) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 直克 / Naokatsu YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤羽 浩一 / Kouichi AKAHANE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川西 哲也 / Tetsuya KAWANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高井 裕司 / Hiroshi TAKAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京電気大学 Tokyo Denki University (TDU) |
| 発表年月日 | 2010-01-29 |
| 資料番号 | PN2009-50,OPE2009-188,LQE2009-170 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 401 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |