| 講演名 | 2010-01-28 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般) 藤澤 剛, 荒井 昌和, 藤原 直樹, 小林 亘, 田所 貴志, 都築 健, 赤毛 勇一, 伊賀 龍三, 山中 孝之, 狩野 文良, |
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| 抄録(和) | 中、長距離用の100Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3μm帯の電界吸収型変調器集積レーザを開発した。1.3μm帯での大きな消光比を確保するために、従来のInGaAsP系材料では無く、伝導帯バンドオフセットの大きなInGaAlAs系の材料を用い、また、引張歪の量子井戸を採用している。レーザと変調器部はバットジョイント構造を用いて結合し、それぞれの層構造の最適化を独立に行うことができりょうにしている。作製した素子を実装したモジュールの小信号3dB帯域は33GHzであり、それを用いて、40℃において伝送速度25Gbit/s、シングルモードファイバ上での10、40km伝送を達成したのでここで報告する。 |
| 抄録(英) | We have developed 1.3-um electroabsorption modulator integrated with DFB laser for middle- and long-distance 100 Gbit/s Ethernet. To ensure enough extinction ratio at 1.3-um band, tensile strained quantum well absorbing layer made with InGaAlAs-based material which has larger conduction band offset compared with that of InGaAsP. Butt-joint technique is employed to couple EA modulator and DFB laser in order to optimize the structure separately. Fabricated device is packaged to a butterfly module and the small-signal 3 dB bandwdth is 33 GHz. By using the module, we demonstrate 10- and 40-km transmission on single mode fiber at the modulation speed of 25 Gbit/s at 40 degrees Celcius. |
| キーワード(和) | 100ギガビットイーサネット / 電界吸収型光変調器 / 歪量子井戸 |
| キーワード(英) | 100 Gbit/s Ethernet / electroabsorption modulator / strained quantum well |
| 資料番号 | PN2009-45,OPE2009-183,LQE2009-165 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | PN |
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| 開催期間 | 2010/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Photonic Network (PN) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 40-km SMF transmission for 100-Gbit/s Ethernet system based on 25-Gbit/s 1.3um electroabsorption modulator integrated with DFB laser |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 100ギガビットイーサネット / 100 Gbit/s Ethernet |
| キーワード(2)（和/英） | 電界吸収型光変調器 / electroabsorption modulator |
| キーワード(3)（和/英） | 歪量子井戸 / strained quantum well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤澤 剛 / T Fujisawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒井 昌和 / M Arai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤原 直樹 / N Fujiwara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 亘 / W Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田所 貴志 / T Tadokoro |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 都築 健 / K Tsuzuki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 赤毛 勇一 / Y Akage |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 伊賀 龍三 / R Iga |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山中 孝之 / T Yamanaka |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 狩野 文良 / F Kano |
| 第 10 著者 所属（和/英） | NTTフォトニック研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2010-01-28 |
| 資料番号 | PN2009-45,OPE2009-183,LQE2009-165 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 401 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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