講演名 2010/6/18
並列型LiNbO_3光変調器のバイアス制御方法に関する検討(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
土屋 佑太, 坂本 高秀, 川西 哲也, 中島 啓幾,
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抄録(和) 我々のグループでは,LiNbO_3光変調器の基本構造となるマッハツェンダ型干渉構造の光入射側のY分岐部分に新たな電極を設置することで,光変調器の消光比を改善する報告を行った.今回これらの方法を多値変調技術に応用することを考え,並列型マッハツェンダ構造を有するLiNbO_3光変調器でのバイアス制御方法についてシミュレーションを行い確認した.また新たな電極構造を設置すると,その電極から発生する電界により光の位相変化が生じるため,その位相変化を考慮したバイアス制御方法が必要となる.本研究では実際にその位相変化の影響を実験によって確認し,その構造を並列型LiNbO_3光変調器の構造に導入するためのバイアス制御方法について検討した.
抄録(英) We improved extinction ratio by putting a new electrode on a Y-branch structure at input side of a Mach-Zehnder interferometer. Allowing for applying this method to a multi-value modulation technology, we confirmed a bias control method of parallel LiNbO_3 modulators by simulation. Besides, due to the new electrode structure causes phase shift of lightwave, a new bias control compensating the influence of the phase shift is needed. In this paper, we confirmed the influence of the phase shift by experimentation. And for putting these methods to practical use and introducing to parallel LiNbO_3 optical modulators, we investigated a bias control method of the new electrode structure.
キーワード(和) LiNbO_3 / 変調器 / QPSK / QAM / 消光比 / バイアス制御
キーワード(英) LiNbO_3 / Optical modulator / QPSK / QAM / Extinction ratio / Bias control
資料番号 LQE2010-23,OPE2010-21
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2010/6/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 並列型LiNbO_3光変調器のバイアス制御方法に関する検討(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Examination about bias control method of parallel LiNbO_3 optical modulators
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) LiNbO_3 / LiNbO_3
キーワード(2)(和/英) 変調器 / Optical modulator
キーワード(3)(和/英) QPSK / QPSK
キーワード(4)(和/英) QAM / QAM
キーワード(5)(和/英) 消光比 / Extinction ratio
キーワード(6)(和/英) バイアス制御 / Bias control
第 1 著者 氏名(和/英) 土屋 佑太 / Yuta TSUCHIYA
第 1 著者 所属(和/英) 早稲田大学大学院先進理工学研究科
Department of Applied Physics, Waseda University
第 2 著者 氏名(和/英) 坂本 高秀 / Takahide SAKAMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(NICT)
NICT
第 3 著者 氏名(和/英) 川西 哲也 / Tetsuya KAWANISHI
第 3 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(NICT)
NICT
第 4 著者 氏名(和/英) 中島 啓幾 / Hirochika NAKAJIMA
第 4 著者 所属(和/英) 早稲田大学大学院先進理工学研究科
Department of Applied Physics, Waseda University
発表年月日 2010/6/18
資料番号 LQE2010-23,OPE2010-21
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 103
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日