| 講演名 | 2010-06-30 Low-temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for SiGe Based Spintransistors(Session 1A : Emerging Device Technology 1) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Recent our progress in low temperature molecular beam epitaxy of magnetic silicide (Fe_3Si) on group-IV-semiconductor (SiGe) was reviewed. By optimizing beam flux ratio (Fe:Si=3:1) and growth temperature (<130℃), a high quality hybrid structure, i.e., DO_3-type Fe_3Si on SiGe with an atomically flat interface, was achieved. Excellent magnetic properties with a small coercivity and electrical properties with reasonable Schottky barrier height were obtained. Electrical injection and detection of spin-polarized electron in Si was successfully demonstrated. These results will be a powerful tool to open up group-IV-semiconductor spin-transistors, consisting of SiGe channel with high mobility and Fe_3Si source/drain for spin-injection. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2010-52,SDM2010-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2010/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for SiGe Based Spintransistors(Session 1A : Emerging Device Technology 1) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Masanobu MIYAO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2010-06-30 |
| 資料番号 | ED2010-52,SDM2010-53 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |