| 講演名 | 2010-06-30 Investigation of Abnormal Drain Current Increase of Tunneling Field-Effect Transistors(Session 3A : Emerging Device Technology 2) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A tunneling field-effect transistor (TFET) is a promising candidate to replace a MOSFET because the subthreshold swing (SS) of the TFET can be reduced below the 60 mV/dec at room temperature. However, the slope of log(I_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | tunneling field-effect transistor / on current / tunnel resistance / channel resistance |
| 資料番号 | ED2010-63,SDM2010-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of Abnormal Drain Current Increase of Tunneling Field-Effect Transistors(Session 3A : Emerging Device Technology 2) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / tunneling field-effect transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Min Jin LEE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electronic Engineering, Sogang University |
| 発表年月日 | 2010-06-30 |
| 資料番号 | ED2010-63,SDM2010-64 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | |