| 講演名 | 2010-06-30 Fundamental oscillations at ～900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures(Session 3A : Emerging Device Technology 2) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We demonstrate fundamental oscillations at around 900 GHz with low bias voltages in resonant tunnelling diodes (RTDs) having spike-doped structures. The voltages at the current peak were 0.67 and 0.4 V for RTDs with the spike-doping concentrations of 2 × 10^<18> and 1 × 10^<19> cm^<-3>, respectively, and 0.94 V for the RTD without spike doping. The peak current densities were around 18 mA/μm^2 and remained almost unchanged even after the spike doping. The highest oscillation frequency observed in this study was 898 GHz in the 0.53-μm^2-mesa area for the RTD with a spike-doping concentration of 2 × 10^<18> cm^<-3>. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Terahertz oscillator / Resonant tunneling diode / Spike doping |
| 資料番号 | ED2010-61,SDM2010-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fundamental oscillations at ～900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures(Session 3A : Emerging Device Technology 2) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Terahertz oscillator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Safumi SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-06-30 |
| 資料番号 | ED2010-61,SDM2010-62 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | |