講演名 2010-06-25
走査トンネル顕微鏡を用いたポルフィリン分子の電気的特性の観察(材料デバイスサマーミーティング)
加納 伸也, 皆川 慶嘉, 東 康男, 山田 泰之, 田中 健太郎, 真島 豊,
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抄録(和) 我々は走査トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscopy: STM)/走査トンネル分光(Scanning Tunneling Spectroscopy: STS)によって1分子の電気的な特牲を観察し分子の機能を明らかにし、その機能を用いた固体基板上分子デバイスを実現することを目指している。今回、代表的なΠ共役系分子であるポルフィリン分子をAu(111)基板上に展開しSTM観察を行い、常温下においてSTS測定により1分子における電流-電圧特性を観察したところ、電流-電圧特性において電流が流れない領域が観察された。これはポルフィリン1分子の最高占有分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUMO)のエネルギーギャップと、単電子現象であるクーロンブロッケード現象を併せて観察していると考えられる。この結果は、このポルフィリン分子が常温にて二重トンネル接合の中間電極として作用することを示唆している。
抄録(英) Our goal is to establish the molecular devices by using functional molecule. We demonstrate the electrical characteristics of single metalloporphyrin molecule by using scanning tunneling microscopy (STM) and scanning tunneling spectroscopy (STS). There is zero conductance gap in current-voltage characteristics. The gap is attributed to the highest occupied molecular orbital (HOMO)-the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) gap and single electron charging phenomena. These results suggest that the metalloporphyrin molecule can work as a center electrode of double barrier tunneling junction at room temperature.
キーワード(和) 走査トンネル顕微鏡 / 走査トンネル分光 / ポルフィリン / クーロンブロッケード
キーワード(英) Scanning tunneling microscopy / Scanning tunneling spectroscopy / metalloporphyrin / Coulomb blockade
資料番号 EMD2010-12,CPM2010-26,OME2010-31
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2010/6/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 走査トンネル顕微鏡を用いたポルフィリン分子の電気的特性の観察(材料デバイスサマーミーティング)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electrical property of Porphyrin molecules by scanning tunneling microscopy
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 走査トンネル顕微鏡 / Scanning tunneling microscopy
キーワード(2)(和/英) 走査トンネル分光 / Scanning tunneling spectroscopy
キーワード(3)(和/英) ポルフィリン / metalloporphyrin
キーワード(4)(和/英) クーロンブロッケード / Coulomb blockade
第 1 著者 氏名(和/英) 加納 伸也 / Shinya KANO
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学応用セラミックス研究所:CREST-JST
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology:CREST-JST
第 2 著者 氏名(和/英) 皆川 慶嘉 / Yoshihiro MINAGAWA
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学応用セラミックス研究所:CREST-JST
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology:CREST-JST
第 3 著者 氏名(和/英) 東 康男 / Yasuo AZUMA
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学応用セラミックス研究所:CREST-JST
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology:CREST-JST
第 4 著者 氏名(和/英) 山田 泰之 / Yasuyuki YAMADA
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻:CREST-JST
Department of Chemistry & Institute for Advanced Research Nagoya University:CREST-JST
第 5 著者 氏名(和/英) 田中 健太郎 / Kentaro TANAKA
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻:CREST-JST
Department of Chemistry & Institute for Advanced Research Nagoya University:CREST-JST
第 6 著者 氏名(和/英) 真島 豊 / Yutaka MAJIMA
第 6 著者 所属(和/英) 東京工業大学応用セラミックス研究所:CREST-JST
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology:CREST-JST
発表年月日 2010-06-25
資料番号 EMD2010-12,CPM2010-26,OME2010-31
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 100
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日