講演名 2009-12-04
MOSトランジスタ特性の距離/空間ばらつきにおけるレイアウト構造依存性の解析(物理設計,デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地-)
佐土平 裕一, 中武 繁寿,
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抄録(和) 本研究は、MOSトランジスタ特性における製造ばらつきの対する拡散共有/分離、ゲート分割などのレイアウト構造の依存性に関して調査する。具体的には、90nm製造プロセスにおいてTEGを開発、評価し、チップ上に7×7ユニットで配置したMOSトランジスタのしきい値電圧(Vth)の実測値から距離と空間に依存するばらつき要素を抽出し、それらのレイアウト構造依存性との相関について解析、考察を行った。
抄録(英) In this paper, we investigate the dependency of layout structures such as diffusion sharing/isolation and gate division on MOS transistor characteristics against the variation caused by manufacturing. We developed TEG chips on 90nm manufacturing process and evaluated them for the investigation. Each chip is composed of 7×7 units, various sizes and layouts of MOS transistors are embedded in each of units. We measured Vth of each transistors and analyzed them. In the analysis, we identified the space-dependent components and distance-dependent components from the variation values of the measured Vth.
キーワード(和) MOSトランジスタ / 製造ばらつき / 距離依存ばらつき / 空間依存ばらつき / レイアウト構造依存性
キーワード(英) MOS Transistor / Manufacturing Variation / Distance-Dependent Variation / Space-Dependent Variation / Layout-Structure-Dependency
資料番号 VLD2009-61,DC2009-48
発行日

研究会情報
研究会 DC
開催期間 2009/11/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Dependable Computing (DC)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MOSトランジスタ特性の距離/空間ばらつきにおけるレイアウト構造依存性の解析(物理設計,デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地-)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Analysis of Layout Structure Dependency on Distance/Space Variation for MOS Transistors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOSトランジスタ / MOS Transistor
キーワード(2)(和/英) 製造ばらつき / Manufacturing Variation
キーワード(3)(和/英) 距離依存ばらつき / Distance-Dependent Variation
キーワード(4)(和/英) 空間依存ばらつき / Space-Dependent Variation
キーワード(5)(和/英) レイアウト構造依存性 / Layout-Structure-Dependency
第 1 著者 氏名(和/英) 佐土平 裕一 / Yuichi SADOHIRA
第 1 著者 所属(和/英) 北九州市立大学国際環境工学研究科
School of Environmental Engineering, The University of Kitakyushu
第 2 著者 氏名(和/英) 中武 繁寿 / Shigetoshi NAKATAKE
第 2 著者 所属(和/英) 北九州市立大学国際環境工学研究科
School of Environmental Engineering, The University of Kitakyushu
発表年月日 2009-12-04
資料番号 VLD2009-61,DC2009-48
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 316
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日