| 講演名 | 2010-01-22 E級増幅器におけるゲートドライブ消費電力のシミュレーション解析(回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連,一般) 米倉 翔一郎, 松崎 大士, 末次 正, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本論文ではE級増幅器のゲートポートにおける消費電力がゲートに加えられる信号の波形によってどのように変わるかを求めた。IXYS Power MOSFET DE150-102N02A を用いたE級増幅器にっいてゲートポートにおける電力損失をPSPICEにより求めた。シミュレーション結果よりゲート信号の最適なオフセット電圧8Vであった。ゲートにおける電力損失はゲート信号の振幅が低いほど低い。しかし、E級増幅器本体の電力効率がゲート信号の振幅が低いと低下した。 E級増幅器本体について80%以上の電力効率を得るためにはゲート信号の振幅は4V以上を維持する必要がある。 |
| 抄録(英) | In this paper, gate port power dissipation of class E amplifier is obtained as a function of amplitude and offset of drive signal with Pspice simulation. The gate power dissipation of MOSFET in class E amplifier with IXYS Power MOSFET DE 150-102N02A was investigated with Pspice simulation. From the simulation result, the best offset level of gate signal was 8 V. The power dissipation at gate port was lower when the amplitude of gate signal was lower. However, the power efficiency of amplifier was deteriorated when the amplitude was too low. The amplitude of gate signal should be higher than 4 V in order to keep 80% efficiency in class E power stage |
| キーワード(和) | E級増幅器 / ゲート損失 / RF電力増幅器 / ゼロ電圧スイッチング(ZVS) |
| キーワード(英) | Class E power amplifiers / gate power dissipation / RF power amplifiers / zero-voltage-switching(ZVS)operation |
| 資料番号 | EE2009-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
|---|---|
| 開催期間 | 2010/1/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Energy Engineering in Electronics and Communications (EE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | E級増幅器におけるゲートドライブ消費電力のシミュレーション解析(回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of Power Dissipation at MOSFET Gate Port of Class E Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | E級増幅器 / Class E power amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート損失 / gate power dissipation |
| キーワード(3)（和/英） | RF電力増幅器 / RF power amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | ゼロ電圧スイッチング(ZVS) / zero-voltage-switching(ZVS)operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 米倉 翔一郎 / Shouichirou YONEKURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福岡大学工学部 Department of Electronic Engineering and Computer Science, Fukuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松崎 大士 / Taisi MATSUZAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福岡大学工学部 Department of Electronic Engineering and Computer Science, Fukuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 末次 正 / Tadashi SUETSUGU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福岡大学工学部 Department of Electronic Engineering and Computer Science, Fukuoka University |
| 発表年月日 | 2010-01-22 |
| 資料番号 | EE2009-42 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 371 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |