| 講演名 | 2009-11-19 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス) 永田 賢吾, 市川 友紀, 竹田 健一郎, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | Mgドープしたp型Al_<0.17>Ga_<0.83>Nについて,異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化した試料の正孔濃度は,窒素中や空気中で活性化した試料の正孔濃度よりも高いことがわかった。同様に,紫外LEDについても,酸素雰囲気中の活性化アニールの効果を確認した。100mAのDC電流で,酸素雰囲気中900℃において活性化したLEDは,窒素雰囲気中800℃において活性化したLEDと比べ,約4倍光出力が高い。 |
| 抄録(英) | Activation annealing of Mg-doped p-type Al_<0.17>Ga_<0.83>N in different gases was conducted. The hole concentration in Al_<0.17>Ga_<0.83>N annealed in oxygen flow is higher than those annealed in nitrogen or air. A hole concentration of 1.3×10^<16>cm^<-3> at room temperature was achieved by annealing in oxygen flow at 900℃. We also confirmed the effect of activation annealing in oxygen flow on the performance of UV LED. At a DC current of 100mA, the output power of the LED annealed in oxygen flow at 900℃ is 4 times higher than that of the LED annealed in nitrogen flow at 800℃. |
| キーワード(和) | 活性化アニール / 水素脱離 / 酸素 / 正孔濃度 / 紫外LED |
| キーワード(英) | activation annealing / hydrogen desorption / oxygen / hole concentration / UV LED |
| 資料番号 | ED2009-144,CPM2009-118,LQE2009-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Efficiency ultraviolet emitters by activation annealing in oxygen flow |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 活性化アニール / activation annealing |
| キーワード(2)（和/英） | 水素脱離 / hydrogen desorption |
| キーワード(3)（和/英） | 酸素 / oxygen |
| キーワード(4)（和/英） | 正孔濃度 / hole concentration |
| キーワード(5)（和/英） | 紫外LED / UV LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永田 賢吾 / Kengo NAGATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市川 友紀 / Tomoki ICHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹田 健一郎 / Kenichiro TAKEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 永松 謙太郎 / Kentaro NAGAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-144,CPM2009-118,LQE2009-123 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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