講演名 2009-11-19
ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
本田 徹, 野崎 理, 坂井 直之, 野口 和之,
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抄録(和) 低コスト集積化発光ダイオードの実現は小型フラットパネルディスプレイの高輝度化の点から注目されている.分子線エピタキシャル成長法によりサファイア基板上に成長したGaN薄膜を用いてショットキー型紫外発光ダイオードの製作を行い,3原色蛍光体との組み合わせにより,RGB発光素子を試作した.理想的なショットキー型ダイオード構造の実現には結晶成長したGaN表面の制御が重要となる.Al蒸着および大気中アニール,その後のBHF処理によるGaN表面改質(Alフェイスパック法)を行った結果,酸によるGaN表面の酸化膜除去を行った場合と比較して,ダイオードの逆方向耐電圧,リーク電流および順方向特性の向上がみられた.本表面改質を用いて紫外発光ダイオード(LED)を製作した結果,量子効率の改善がみられた.本紫外LEDを用いてRGB発光素子を試作した.
抄録(英) The cost-effective integration of light-emitting diodes (LEDs) is one of the important issues for the fabrication of flat-panel displays (FPDs). In this study, GaN-based UV Schottky-type (ST-) LEDs were fabricated using GaN layers grown by MBE. The red, green and blue (RGB) pixels were also fabricated using the UV LEDs and RGB phosphors. In the case of ST-LED's fabrication, surface control of GaN layers is a crucial issue. The surface modification for the fabrication of the Schottky contacts is also reported. It was clarified that the surface modification is effective for the improvement of the diode characteristics including the reduction of reverse-bias leakage current. The modification also improves the quantum efficiency of the ST-LEDs. The RGB pixels were also fabricated using the GaN-based UV ST-LEDs.
キーワード(和) GaN / Schottky / 発光ダイオード / RGB
キーワード(英) GaN / Schottky / Light-emitting diodes / RGB
資料番号 ED2009-143,CPM2009-117,LQE2009-122
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2009/11/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of red, green and blue emitters using GaN-based UV Light-emitting diodes with Schottky-type structures
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN
キーワード(2)(和/英) Schottky / Schottky
キーワード(3)(和/英) 発光ダイオード / Light-emitting diodes
キーワード(4)(和/英) RGB / RGB
第 1 著者 氏名(和/英) 本田 徹 / Tohru HONDA
第 1 著者 所属(和/英) 工学院大学大学院工学研究科
School of Engineering, Graduate School of Kogakuin University
第 2 著者 氏名(和/英) 野崎 理 / Tadashi NOZAKI
第 2 著者 所属(和/英) 工学院大学大学院工学研究科
School of Engineering, Graduate School of Kogakuin University
第 3 著者 氏名(和/英) 坂井 直之 / Naoyuki SAKAI
第 3 著者 所属(和/英) 工学院大学大学院工学研究科
School of Engineering, Graduate School of Kogakuin University
第 4 著者 氏名(和/英) 野口 和之 / Kazuyuki NOGUCHI
第 4 著者 所属(和/英) 工学院大学大学院工学研究科
School of Engineering, Graduate School of Kogakuin University
発表年月日 2009-11-19
資料番号 ED2009-143,CPM2009-117,LQE2009-122
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 290
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日