| 講演名 | 2009-11-19 UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス) 市川 友紀, 竹田 健一郎, 小木曽 裕二, 永田 賢吾, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, 吉田 治正, 桑原 正和, 山下 陽滋, 菅 博文, |
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| 抄録(和) | III族窒化物半導体AlGaNを用いた波長350nm以下の紫外(Ultraviolet:UV)レーザダイオード(Laser Diode:LD)は,大容量光記録媒体のピックアップ用,医療用,レーザ加工用の光源など幅広い応用が期待できる。AlGaNを用いたUVレーザダイオードでは拡散電位が大きいという本質的な問題に加え,電極形成プロセスにおける直流抵抗分の増加によって動作電圧が高くなる。安定した連続発振の実現にはプロセス最適化による低動作電圧化が必須である。プロセス工程を様々検討したところ,n電極金属を800℃以上の高温で短時間アニールすることで,低動作電圧化が可能であることが分かった。すなわちnコンタクト層とn電極金属がオーミック接触となり接触比抵抗が低減したため低動作電圧化し,かつリーク電流が少ないことも確認した。 |
| 抄録(英) | Annealing condition for n-type electrode in AlGaN-based UV LD was investigated. High temperature annealing is found to be effective to reduce contact resistance. Series resistance and operating voltage of UV LD can be successfully reduced by high temperature annealing of n-type electrode. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / 紫外 / レーザダイオード / 動作電圧 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / ultraviolet / laser diode / operating voltage |
| 資料番号 | ED2009-142,CPM2009-116,LQE2009-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction in operating voltage of UV laser diode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外 / ultraviolet |
| キーワード(4)（和/英） | レーザダイオード / laser diode |
| キーワード(5)（和/英） | 動作電圧 / operating voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市川 友紀 / Tomoki ICHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大・理工 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹田 健一郎 / Kenichiro TAKEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大・理工 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小木曽 裕二 / Yuji OGISO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大・理工 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 永田 賢吾 / Kengo NAGATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大・理工 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大・理工 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大・理工 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大・理工 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大・理工 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 吉田 治正 / Harumasa YOSHIDA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株) Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 桑原 正和 / Masakazu KUWABARA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株) Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 山下 陽滋 / Yoji YAMASHITA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株) Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 菅 博文 / Hirofumi KAN |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株) Hamamatsu Photonics K.K. |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-142,CPM2009-116,LQE2009-121 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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