講演名 2009-11-19
AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
吉田 治正, 桑原 正和, 山下 陽滋, 高木 康文, 内山 和也, 菅 博文,
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抄録(和) AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaN およびAlGaN多重量子井戸型のレーザダイオードは,低転位のAlGaN結晶上に作製したもので,その発振波長は最も短いものでは336nmとなり,GaNのバンドギャップに相当する波長を遥かに下回る発振波長を達成した.高品質のAlGaN結晶上に作製したAlGaN系レーザダイオードに関する数々の結果は,今後さらに短波長の紫外レーザダイオードを実現する上で極めて重要となるであろう.
抄録(英) We have demonstrated the room-temperature operations of AlGaN based multi-quantum-well (MQW) laser diodes under pulsed-current mode. GaN/AlGaN and AlGaN MQW laser diodes have been fabricated on the low dislocation density AlGaN films. The AlGaN MQW laser diodes lased at a peak wavelength down to 336nm far beyond the GaN band gap. The results on the AlGaN based laser diodes grown on the high quality AlGaN films presented here will be essential for the future development of laser diodes emitting much shorter wavelength.
キーワード(和) GaN / AlGaN / 紫外 / レーザダイオード / 半導体レーザ
キーワード(英) GaN / AlGaN / ultraviolet / laser diodes / semiconductor lasers
資料番号 ED2009-141,CPM2009-115,LQE2009-120
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2009/11/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Ultraviolet AlGaN based multiple-quantum-well laser diodes
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN
キーワード(3)(和/英) 紫外 / ultraviolet
キーワード(4)(和/英) レーザダイオード / laser diodes
キーワード(5)(和/英) 半導体レーザ / semiconductor lasers
第 1 著者 氏名(和/英) 吉田 治正 / Harumasa YOSHIDA
第 1 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
第 2 著者 氏名(和/英) 桑原 正和 / Masakazu KUWABARA
第 2 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
第 3 著者 氏名(和/英) 山下 陽滋 / Yoji YAMASHITA
第 3 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
第 4 著者 氏名(和/英) 高木 康文 / Yasufumi TAKAGI
第 4 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
第 5 著者 氏名(和/英) 内山 和也 / Kazuya UCHIYAMA
第 5 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
第 6 著者 氏名(和/英) 菅 博文 / Hirofumi KAN
第 6 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
発表年月日 2009-11-19
資料番号 ED2009-141,CPM2009-115,LQE2009-120
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 290
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日