| 講演名 | 2009-11-19 GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス) 永田 賢昌, 飯田 大輔, 永松 謙太郎, 竹田 健一郎, 松原 哲也, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 高In組成GaInNは高効率多接合型太陽電池,高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LDへの応用が期待されている。従来のMOVPE法では高In組成GaInNは低温成長が必須であったが,結晶性の悪さや残留不純物濃度が増加しやすいことから,高温での成長が望まれている。GaInNにおいて加圧成長することで,より高温で成長可能になる。本報告では,加圧MOVPE法を用いたGaInNの結晶成長およびその熱力学解析について報告する。 |
| 抄録(英) | High In content GaInN films are promising for many applications such as multi-junction tandem photovoltaic cells, high power heterostructured field-effect transistors, high-brightness green light-emitting diodes, etc. Up to now, growth temperature for high In composition GaInN films should be lower than that of GaN. It is desirable to grow GaInN at higher temperature to achieve high quality and low residual impurities. It is possible to grow GaInN at higher temperature under higher pressure. This paper reports GaInN growth at raised pressure by MOVPE and these thermodynamic aspects. |
| キーワード(和) | GaInN / MOVPE / 加圧 / 熱力学 / In組成 / 圧力 |
| キーワード(英) | GaInN / MOVPE / raised pressure / pressurize / thermodynamic / In composition / pressure |
| 資料番号 | ED2009-140,CPM2009-114,LQE2009-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermodynamic aspects of the raised pressure MOVPE for growth of GaInN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInN / GaInN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 加圧 / raised pressure |
| キーワード(4)（和/英） | 熱力学 / pressurize |
| キーワード(5)（和/英） | In組成 / thermodynamic |
| キーワード(6)（和/英） | 圧力 / In composition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永田 賢昌 / Kensuke NAGATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯田 大輔 / Daisuke IIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永松 謙太郎 / Kentaro NAGAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹田 健一郎 / Kenichiro TAKEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松原 哲也 / Tetsuya MATSUBARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-140,CPM2009-114,LQE2009-119 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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