| 講演名 | 2009-11-19 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス) 白石 賢二, 岩田 潤一, 小幡 輝明, 押山 淳, |
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| 抄録(和) | In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接には4個の窒素原子が、第二近接には12個のカチオン原子が存在する。特にIn原子は共有結合半径が大きく(1.44Å)、窒素原子(0.70Å)との差が非常に大きい。この結果として、第二近接であるIn原子間距離が相対的に小さくなり、In-In相互作用が極めて重要になる。本研究では第一原理計算によって、第2近接In-In相互作用の重要性を指摘し、これがInGaNにおける窒素原子空孔の特異な原子構造や、InNにおける小さなバンドギャップの起源となっていることを示す。 |
| 抄録(英) | In-containing nitride semiconductors exhibit characteristic behavior which can be ascribed to the large difference in the covalent radius between In and N atoms. We consider atomic and electronic structures of N mono-vacancies (V_N) in InGaN in detail by the first principles calculations. We find that the second nearest neighbor In-In interactions, which are not important in conventional semiconductors such as Si and InAs, are as crucial the nearest neighbor In-N interaction in In-related nitride semiconductors. Moreover, we clearly show that the strong second nearest neighbor In-In interactions in InN are the physical origin of the unusually narrow band gap of InN |
| キーワード(和) | In系窒化物半導体 / バンド構造 / 理論 / 第一原理計算 / イオン性 / 共有結合性 |
| キーワード(英) | In-containing nitride semiconductors / Band structures / Theory / First-Principles Calculations / Iconicity / Covalency |
| 資料番号 | ED2009-138,CPM2009-112,LQE2009-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Studies on the Characteristic Electronic Structures of In-Containint Nitride Semiconductors Based on the First Principles Calculations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | In系窒化物半導体 / In-containing nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | バンド構造 / Band structures |
| キーワード(3)（和/英） | 理論 / Theory |
| キーワード(4)（和/英） | 第一原理計算 / First-Principles Calculations |
| キーワード(5)（和/英） | イオン性 / Iconicity |
| キーワード(6)（和/英） | 共有結合性 / Covalency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白石 賢二 / Kenji SHIRAISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 筑波大学計算科学研究センター:筑波大学大学院数理物質科学研究科:CREST-JST Center for Computational Sciences, University of Tsukuba:Graduate School for Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩田 潤一 / Jun-ichi IWATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 筑波大学計算科学研究センター:CREST-JST Center for Computational Sciences, University of Tsukuba:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小幡 輝明 / Teruaki OBATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 筑波大学大学院数理物質科学研究科 Graduate School for Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 押山 淳 / Atsushi OSHIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科:CREST-JST Graduate School of Engineering, University of Tokyo:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-138,CPM2009-112,LQE2009-117 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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