| 講演名 | 2009-11-19 ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 小林 篤, 下元 一馬, 上野 耕平, 梶間 智文, 太田 実雄, 藤岡 洋, 尾嶋 正治, |
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| 抄録(和) | ZnO結晶はIII族窒化物結晶と構造的に類似性が高く,また,大面積バルク結晶も容易に入手できることから,無極性面窒化物薄膜の成長には理想的な基板である.ZnOは化学的,熱的に不安定性であり,成長中にIII族窒化物と反応してしまうという本質的な問題が指摘されていたが,最近我々が開発した「PLD室温成長技術」を用いることで急峻な無極性面ヘテロ界面が実現し,この問題を解決できることが分かってきた.今回この低温成長技術を用いて作製した無極性面窒化物には特有の異方的なひずみが生じ,その物性に大きな影響を与えることが明らかになった. |
| 抄録(英) | ZnO has been regarded as an ideal substrate for epitaxial growth of nonpolar group III nitride films because its structural properties are quite similar to those of GaN. However, ZnO has not been used as the substrate due to its chemical instability under the conventional growth conditions of metal-organic vapor phase epitaxy. We have recently found that the use of "pulsed-laser-deposition room-temperature growth technique" enables us to fabricate abrupt nonplolar interfaces, and to solve the instability of ZnO. In this paper, we report that there exist anisotropic in-plane strains in m-plane InGaN films grown on ZnO substrates, which influence the optical polarization properties. |
| キーワード(和) | III族窒化物半導体 / 無極性面 / ZnO / パルス励起堆積法 / 低温成長 / 光学特性 |
| キーワード(英) | Group-III nitrides / nonpolar / ZnO / pulsed excitation deposition / low-temperature growth / optical property |
| 資料番号 | ED2009-137,CPM2009-111,LQE2009-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Anisotropy in structural and optical properties of nonpolar group III nitrides grown on ZnO substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | III族窒化物半導体 / Group-III nitrides |
| キーワード(2)（和/英） | 無極性面 / nonpolar |
| キーワード(3)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(4)（和/英） | パルス励起堆積法 / pulsed excitation deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 低温成長 / low-temperature growth |
| キーワード(6)（和/英） | 光学特性 / optical property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 篤 / Atsushi KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 下元 一馬 / Kazuma SHIMOMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上野 耕平 / Kohei UENO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 梶間 智文 / Tomofumi KAJIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 太田 実雄 / Jitsuo OHTA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤岡 洋 / Hiroshi FUJIOKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(JST-CREST) Institute of Industrial Science, The University of Tokyo:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 尾嶋 正治 / Masaharu OSHIMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(JST-CREST) Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-137,CPM2009-111,LQE2009-116 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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