| 講演名 | 2009-11-19 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス) 金田 昭男, 上田 雅也, 船戸 充, 川上 養一, |
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| 抄録(和) | ELO-GaNテンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの近接場発光マッピング測定を30Kにて行った. c面InGaN QWでは,～100nm程度の島状の発光強度の強い領域が多数分布していた.さらにこのような発光強度の強い領域は長波長領域に対応していた.これは,エネルギー準位の不均一により生じた局所的なポテンシャル極小領域にキャリアが局在し発光しているためと考えられる.一方,{11-22}InGaN QWでは,QW面内での発光強度変化がほとんどなく,さらに各測定点での発光スペクトル形状にほとんど変化が見られなかった.発光半値幅も、約160meVとマクロ発光スペクトルとほぼ同じ値だった.以上のことから,{11-22}InGaN QWの局在中心サイズはc面InGaN QWに比べ小さく,キャリアの面内拡散もほとんどないものと考えられる. |
| 抄録(英) | Spatially resolved photoluminescence mapping was performed for c plane and {11-22} InGaN/GaN quantum wells (QWs) by a scanning near field optical microscope, and differences of recombination dynamics between them were investigated at cryogenic temperature. For the c plane QW, despite the cryogenic temperature, the PL intensity map consists of island like structure where the strong PL intensity domains correspond to the lower emission energy bands. Moreover, the PL spectra are composed of several emission peaks, and the shape of spectra is different in each position. These results indicate that the carriers/excitons are diffused to localization centers and recombine radiatively. On the other hand, such PL intensity fluctuations and position dependence of PL spectra have not been observed in the {11-22} QW. These findings strongly suggest that the density of localization centers in the {11-22} QW is much higher than that in the c plane QW. Additionally, the carrier diffusion length of the {11-22} QW is much shorter than that of the c plane QW. |
| キーワード(和) | c面IhGaN量子井戸 / {11-22}InGaN量子井戸 / 近接場光学顕微鏡 / 局在 / 拡散長 |
| キーワード(英) | c plane InGaN QW / {11-22}InGaN QW / scanning near field optical microscope / localization center / diffusion length |
| 資料番号 | ED2009-135,CPM2009-109,LQE2009-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High spatial resolution PL mapping of {11-22} InGaN quantum wells by a scanning near field optical microscope |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | c面IhGaN量子井戸 / c plane InGaN QW |
| キーワード(2)（和/英） | {11-22}InGaN量子井戸 / {11-22}InGaN QW |
| キーワード(3)（和/英） | 近接場光学顕微鏡 / scanning near field optical microscope |
| キーワード(4)（和/英） | 局在 / localization center |
| キーワード(5)（和/英） | 拡散長 / diffusion length |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金田 昭男 / Akio KANETA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上田 雅也 / Masaya UEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru FUNATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi KAWAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-135,CPM2009-109,LQE2009-114 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |