| 講演名 | 2009-11-19 AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス) 尾沼 猛儀, 羽豆 耕治, 宗田 孝之, 上殿 明良, 秩父 重英, |
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| 抄録(和) | 有機金属化学気相エピタキシー法によりc面サファイア基板上に成長された、転位密度の異なるAlN薄膜の励起子エネルギー領域における光学特性を報告する。転位密度の低減に伴って、Al空孔に関連した点欠陥複合体密度の低減と、面内圧縮歪(Δa/a,の増加が観測された。最も転位密度の低い試料(2×10^8cm^-2)はΔα/α≅-1.68%と大きな歪を受けており、低温のカソードルミネセンス(CL)スペクトルには4本の束縛励起子発光ピークが観測された。部分偏光反射およびCL測定から、基底および第一励起状態にあるA自由励起子の発光が同定され、水素原子様モデルを適用すると励起子束縛エネルギーは51meVと見積もられた。 |
| 抄録(英) | Exciton fine structures were observed in partially polarized optical reflectance and cathodoluminescence (CL) spectra of AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) Al_2O_3 substrates. A few free and four bound exciton lines were clearly resolved in the low-temperature CL spectra of the lowest threading dislocation density (2×10^8cm^<-2>) AlN film. From the energy difference between the ground- and the first-excited states, the hydrogenic A-exciton binding energy in the compressively strained (Δa/a≅-1.68%) AlN was estimated to be 51meV. |
| キーワード(和) | AlN / 偏光 / 反射 / カソードルミネセンス |
| キーワード(英) | AlN / Polarization / Reflectance / Cathodoluminescence |
| 資料番号 | ED2009-134,CPM2009-108,LQE2009-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Exciton emission mechanism in AlN epitaxial films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | 偏光 / Polarization |
| キーワード(3)（和/英） | 反射 / Reflectance |
| キーワード(4)（和/英） | カソードルミネセンス / Cathodoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 尾沼 猛儀 / Takeyoshi ONUMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学多元物質科学研究所 Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 羽豆 耕治 / Kouji HAZU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学多元物質科学研究所 Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宗田 孝之 / Takayuki SOTA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学術院 Department of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上殿 明良 / Akira UEDONO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 筑波大学電子物理工学系 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 秩父 重英 / Shigefusa F. CHICHIBU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学多元物質科学研究所 Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-134,CPM2009-108,LQE2009-113 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |