| 講演名 | 2009-11-19 RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス) 山口 智広, 名西 [ヤス]之, |
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| 抄録(和) | InN成長のための新しいRF-MBE(radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy)成長方法としてDERI(droplet elimination by radical-beam irradiation)法を提案する。本手法は、(1)ドロップレット形成プロセス、及び、(2)ドロップレット除去プロセスの2つのプロセスにより構成される。ドロップレット形成プロセスにおいて、InドロップレットはInリッチ条件下でのInN成長、もしくは、In照射により形成される。このドロップレットは、Nラジカル照射によるドロップレット除去プロセスにより除去されInNに変換形成される。この手法は、RHEEDによる回折パターン強度その場観察によりモニタリングできるため、高品質InN膜を簡便に再現性よく成長できる。このDERI法をInGaN成長に応用すると、InGaN中にGaが優先的に取り込まれるため、InはInGaN表面上にはき出され、このInはドロップレット除去プロセスによりInNに形成されることになる。 |
| 抄録(英) | New radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE) method, named droplet elimination by radical-beam irradiation (DERI), is proposed for the growth of InN. This method is composed of two series of growth processes: (1) droplet formation process and (2) droplet elimination process. In droplets are formed on a surface by either InN growth under an In-rich condition or simple In irradiation in droplet formation process. These droplets are eliminated and transformed to InN epitaxially on the underlayer in droplet elimination process, which is consisting of nitrogen radical beam irradiation. This method supplies simple and reproducible growth of a high-quality InN film, since DERI method can be monitored in situ by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) intensity variation. This DERI method is also applied to InGaN growth. The results indicate that Ga preferably or selectively captures into InGaN layer and In, which is forced to sweep away to the surface, is transformed to InN on top of InGaN by droplet elimination process. |
| キーワード(和) | 分子線エピタキシー / 窒化インジウム / 窒化インジウムガリウム |
| キーワード(英) | Molecular Beam Epitaxy (MBE) / InN / InGaN |
| 資料番号 | ED2009-133,CPM2009-107,LQE2009-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Proposal of new growth method for high-quality InN and development on growth of InGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular Beam Epitaxy (MBE) |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化インジウム / InN |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化インジウムガリウム / InGaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 智広 / Tomohiro YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学総合理工学研究機構 Res. Org. of Sci. & Eng., Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 名西 [ヤス]之 / Yasushi NANISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部:ソウル国立大学WCUプログラム Dept. of Photonics, Ritsumeikan University:WCU Program, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-133,CPM2009-107,LQE2009-112 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |