| 講演名 | 2009-11-19 RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス) 荒木 努, 山口 智広, 金子 昌充, 名西 [ヤス]之, |
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| 抄録(和) | InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビーム加工装置(FIB)を用いてホールパターン加工を施し、その上にECR-MBE法およびRF-MBE法を用いてInNナノコラム成長を行った。成長温度、V/III比、ホールパターンの直径、間隔などの各種成長パラメーターがInNナノコラム成長形態へ与える影響について検討し、これらを最適化することにより、配列制御したInNナノコラムの成長に成功した。作製するホール密度を変化させることで、ナノコラムの形成密度を9本/μm^2.から100本/μm^2に制御することができた。CL測定の結果、InNナノコラムから0.74eVにピーク位置を持つ発光スペクトルが得られた。 |
| 抄録(英) | Position controlled InN nanocolumns were successfully grown by ECR-MBE and RF-MBE on hole-patterned GaN template fabricated by focused ion beam (FIB). Dependences of morphological changes in InN nanocolumn on growth temperature, hole size and V/III ratio were investigated. It is found that growth with a higher V/III ratio and a larger hole size resulted in the multiple formation of InN nanocolumns in one hole. By varying the hole density on the GaN template, we succeeded to change the density of InN nanocolumn by one order of magnitude from about 9/μm^2 to 100/μm^2. InN nanocolumn showed luminescence with peak energy of 0.74eV by cathodoluminescence measurement. |
| キーワード(和) | InN / ナノコラム / 結晶成長 / MBE |
| キーワード(英) | InN / nano-column / crystal growth / MBE |
| 資料番号 | ED2009-132,CPM2009-106,LQE2009-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High quality InN crystal growth by RF-MBE : Growth of position-controlled InN nanocolumns |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | ナノコラム / nano-column |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶成長 / crystal growth |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山口 智広 / Tomohiro YAMAGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学総合理工学研究機構 Res. Org. of Sci. & Eng., Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金子 昌充 / Masamitsu KANEKO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学総合理工学研究機構 Res. Org. of Sci. & Eng., Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 名西 [ヤス]之 / Yasushi NANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部:ソウル国立大学WCUプログラム Dept. of Photonics, Ritsumeikan University:WCU Program, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-132,CPM2009-106,LQE2009-111 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |