| 講演名 | 2009-11-19 Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) 神村 淳平, 岸野 克巳, 菊池 昭彦, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | RF-MBE法によりサファイア(0001)基板上にMoマスクを用いてInNの選択成長を試みた。開口部直径433nmのマスク上に成長した直径1μm、高さ15μm、周期1μmの規則配列InN結晶から、ピークエネルギー0.63eV、半値幅54meVの鋭い室温PL発光が観測され、選択成長による結晶性の著しい向上が確認された。これはナノ構造及び横方向成長効果による貫通転位の低減が寄与しているためであると考えられる。 |
| 抄録(英) | We demonstrated selective-area growth of InN on Sapphire (0001) substrates by use of molybdenum-mask selective area growth (SAG) of rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). The well-aligned selective-area grown InN crystals, which have a diameter of 1.0μm, a height of 1.5μm, and a pitch of 1.0μm, showed high crystalline-quality with the room-temperature (RT) photoluminescence (PL) FWHM of 54meV and the PL peak energy of 0.63eV. This suggests that we have grown high-quality InN crystals directly on sapphire substrates without using GaN templates or any buffer layers and also catalyst. |
| キーワード(和) | InN / 選択成長 / 分子線エピタキシー / サファイア基板 |
| キーワード(英) | InN / Selective-Area Growth / Molecular Beam Epitaxy / Sapphire (0001) substrate |
| 資料番号 | ED2009-131,CPM2009-105,LQE2009-110 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE growth of well-aligned InN crystals using Mo-mask selective area growth technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長 / Selective-Area Growth |
| キーワード(3)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular Beam Epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | サファイア基板 / Sapphire (0001) substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 神村 淳平 / Jumpei KAMIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:上智ナノテクノロジー研究センター:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:Sophia Nanotechnology Research Center:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:上智ナノテクノロジー研究センター:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:Sophia Nanotechnology Research Center:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-131,CPM2009-105,LQE2009-110 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |