| 講演名 | 2009-11-19 AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 島原 佑樹, 武富 浩幸, 三宅 秀人, 平松 和政, 福世 文嗣, 岡田 知幸, 高岡 秀嗣, 吉田 治正, |
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| 抄録(和) | 減圧MOVPE法によりAlN/sapphire基板を下地としたAlGaN膜の成長を,反射光を用いたその場観察によって成長形態を観測しながら行うことで,さらなる膜の高品質化と膜厚の制御を行った.AlGaNのAl組成は成長温度で制御できる.Al組成を変化させることで対応した発光波長の紫外光を観測した.また得られたサンプルから電子線励起による紫外光源試作管を作製し,評価を行った.界面組成制御,Si-dope,成長条件の最適化により発光強度は飛躍的に向上し,試作管から波長247nmの深紫外光を観測した. |
| 抄録(英) | We performed growth of AlGaN on AlN/sapphire substrate as an underlying layer by low-pressure MOVPE with in-situ monitoring system, in order to fabricate a further high-quality and well-thickness controlled film, and controlled the film thickness. The Al content in AlGaN can be controlled by the growth temperature. Ultraviolet light of luminescence with wavelength that corresponded by changing the Al content was observed. Moreover, we fabricate the prototype ultraviolet-light source tube with the AlGaN film as a target for the electronic beam excitation. Luminous intensity was significantly improved by Si-doping, and optimization of the growth condition, and 247nm deep-ultraviolet light was observed from the tube. |
| キーワード(和) | 減圧MOVPE法 / AlGaN / AlN / 紫外光源 |
| キーワード(英) | LP-MOVPE / AlGaN / AlN / ultraviolet-light source |
| 資料番号 | ED2009-130,CPM2009-104,LQE2009-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth and optical properties of AlGaN on AlN/sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 減圧MOVPE法 / LP-MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | 紫外光源 / ultraviolet-light source |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 島原 佑樹 / Yuki SHIMAHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武富 浩幸 / Hiroyuki TAKETOMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福世 文嗣 / Fumitsugu FUKUYO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡田 知幸 / Tomoyuki OKADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高岡 秀嗣 / Hidetsugu TAKAOKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 吉田 治正 / Harumasa YOSHIDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-130,CPM2009-104,LQE2009-109 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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