| 講演名 | 2009-11-19 HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス) 佐々木 斉, 後藤 裕輝, 碓井 彰, |
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| 抄録(和) | サファイヤ基板上HVPE成長により{11-22}面GaN層の作製を試みた。2インチm面サファイヤ基板上に、MOCVD法によりGaN(1μm)/高温AlNバッファ(40nm)層構造を形成し、その上に厚さ約25μmのHVPE-GaN層を成長した。GaN{11-22}XRC測定の結果、X線をGaNのm軸に平行入射して測定したFWHMは、m軸垂直入射のFWHM(約500arcsec)より広かった。このm軸平行入射のFWHMは、c軸方向オフm面サファイヤ基板の使用や、GaN層のm軸に平行なストライプマスクを用いた選択横方向成長により改善されることがわかった。さらに、HVPE-GaN層の厚さを約700μmまで増加し、{11-22}面GaN自立結晶を得た。 |
| 抄録(英) | {11-22} semi-polar plane GaN crystal layers are grown on sapphire substrates using HVPE technique. MOCVD-grown GaN/HT-AlN double layer structure is used as a buffer layer between the 2-inch-diameter sapphire substrates and 25-μm-thick HVPE-GaN layers. FWHM of GaN {11-22} X-ray rocking curve (XRC) measured with the X-ray reflection along GaN m-axis is wider than that with the X-ray reflection across the m-axis. It is shown that FWHM is improved by using m-plane sapphire substrates misoriented toward the GaN c-axis. Selective area re-growth of GaN layers using the SiO_2 mask stripes parallel to the GaN m-axis also suppresses the FWHM broadening along the m-axis. Furthermore, 700-μm-thick freestanding {11-22} GaN crystal is demonstrated. |
| キーワード(和) | GaN / 結晶成長 / HVPE / 半極性面 / {11-22} / サファイヤ基板 |
| キーワード(英) | GaN / Crystal Growth / HVPE / Semi-polar Plane / {11-22} / Sapphire Substrate |
| 資料番号 | ED2009-129,CPM2009-103,LQE2009-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | HVPE Growth of {11-22} GaN Crystals on m-plane Sapphire Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶成長 / Crystal Growth |
| キーワード(3)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 半極性面 / Semi-polar Plane |
| キーワード(5)（和/英） | {11-22} / {11-22} |
| キーワード(6)（和/英） | サファイヤ基板 / Sapphire Substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐々木 斉 / Hitoshi SASAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductor Department, R & D Division, Furukawa Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 後藤 裕輝 / Hiroki GOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductor Department, R & D Division, Furukawa Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 碓井 彰 / Akira USUI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductor Department, R & D Division, Furukawa Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-129,CPM2009-103,LQE2009-108 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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