| 講演名 | 2009-11-19 Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) 原 航平, 直井 美貴, 酒井 士郎, |
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| 抄録(和) | サファイア基板上に有機金属気相成長(MOCVD)法を用いて成長したGaN上にタンタル(Ta)マスクを形成し,再度,MOCVD法でGaN成長を行うと,Taマスク下地層GaNに対して選択的なエッチングが起こり,空洞を形成することがわかった.金属の触媒作用の影響によって下地層GaNがエッチングされるという報告がある.また,下地層GaNのエッチングはTaマスクの膜厚に依存し,Ta蒸着後の試料表面に対してエネルギー分散型X線(EDX)分析を行うと,Taマスク領域から酸素が検出された. |
| 抄録(英) | Two step growth of GaN is performed, and the metal which is selectively sandwiched into GaN is formed. A GaN downward is etched away when Ta is selectively there. The mechanism is that TaN is formed at high temperature and separate into two, Ta and N2 gas. TaN is again formed, and the rest is in the same way. The usefulness of this technique is the use of the reflectance layer for the UV-LED which emits shorter than 370nm. |
| キーワード(和) | GaN / タンタル(Ta) / エッチング |
| キーワード(英) | GaN / Tantalum (Ta) / etching |
| 資料番号 | ED2009-128,CPM2009-102,LQE2009-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN Re-growth Using Ta Mask Which Etches Covering GaN Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | タンタル(Ta) / Tantalum (Ta) |
| キーワード(3)（和/英） | エッチング / etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原 航平 / Kohei HARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 徳島大学工学部 Faculty of Engineering, The University of Tokushima |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 直井 美貴 / Yoshiki NAOI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 徳島大学工学部 Faculty of Engineering, The University of Tokushima |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 士郎 / Shiro SAKAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 徳島大学工学部 Faculty of Engineering, The University of Tokushima |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-128,CPM2009-102,LQE2009-107 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |