| 講演名 | 2009-11-13 光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般) 田口 大, 長田 憲司朗, / 間中 孝彰, 岩本 光正, |
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| 抄録(和) | 積層有機EL試料(IZO/NPB/Alq/Al)にパルス電圧を印加し、電場誘起光第2次高調波発生(EFISHG)法を用いてデバイス内部の電界分布の過渡変化を評価した。マックスウェル・ワグナー効果モデルに基づき電界分布からNPB/Alq3界面での蓄積電荷量を解析すると、EL発光時にはホールの蓄積が起こることがわかった。ホール蓄積に要する時間は外部電圧に大きく依存し、NPB層のホール走行時間よりも非常に長いことがわかった。 |
| 抄録(英) | Electric-field-induced optical second-harmonic generation (EFISHG) technique was employed to investigate the transient electric-field distribution in organic electroluminescent diode, i.e., IZO/NPB/Alq/Al structure device. Electric field relaxation was found to occur where the device was biased to exhibit enhanced electroluminescence. On account of Maxwell-Wagner effect, charge accumulation process at the NPB/Alq3 interface was analyzed. It was shown that holes accumulated at the NPB/Alq interface. The charge accumulation time was longer than the expected hole transit time across NPB layer. |
| キーワード(和) | 光第2次高調波発生法 / マックスウェル・ワグナー効果 / 有機EL |
| キーワード(英) | electric-field-induced optical second-harmonic generation / Maxwell-Wagner effect / organic electroluminescent diode |
| 資料番号 | OME2009-56,OPE2009-151 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2009/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of charge accumulation time in organic electroluminescence device by optical electric-field induced second-harmonic generation measurement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光第2次高調波発生法 / electric-field-induced optical second-harmonic generation |
| キーワード(2)（和/英） | マックスウェル・ワグナー効果 / Maxwell-Wagner effect |
| キーワード(3)（和/英） | 有機EL / organic electroluminescent diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田口 大 / Dai TAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長田 憲司朗 / Kenshiro OSADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 間中 孝彰 / Martin WEIS |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩本 光正 / Takaaki MANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2009-11-13 |
| 資料番号 | OME2009-56,OPE2009-151 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 283 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |