| 講演名 | 2009-11-13 交換結合膜の薄膜化による磁気ヘッド再生ギャップ長の低減(ハードディスクドライブ及び一般) 三俣 千春, 佐久間 昭正, 深道 和明, |
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| 抄録(和) | 磁気ヘッドの再生素子に用いられる反強磁性膜について,再生ギャップ長を低減させるための薄膜化を目的とし,反強磁性(AFM)と強磁性(FM)積層膜における交換バイアスについてハイゼンベルグ模型を用いた検討を行った.交換バイアスのAFM膜厚依存性をLandau-Lifshitz-Gilbert方程式を解いて求めた.AFM層の合金構造を不規則γ相,L1_2型規則相およびL1_0型規則相とするとそれぞれのスピン構造はトリプルQ(3Q)構造,T1構造およびAF-I構造となった.交換バイアスは積層膜界面における磁壁に影響され,磁壁幅で規定されるAFM層の臨界膜厚はスピン構造によって変化する結果となった.それぞれのスピン構造に対する臨界膜厚d^<3Q>_c,d^ |
| 抄録(英) | For the material design of thin exchange bias layer to reduce the read gap length, the exchange bias between the ferromagnetic (FM) and antiferromagnetic (AFM) bilayer was investigated within the framework of the classical Heisenberg model. The dependence of the exchange bias on the AFM layer thickness was also calculated by using the Landau-Lifshitz-Gilbert equation. The triple-Q (3Q), T1 and AF-I spin structures are obtained in the disordered γ-phase, ordered L1_2- and L1_0-type lattices, respectively. The exchange bias is caused by the formation of the interfacial domain wall in the AFM layer, and the critical thickness d_c of AFM layer is dominated by the varied spin structures. Consequently, the relation of the critical thickness can be represented as √<3>d^<3Q>_c=√<2>d^ |
| キーワード(和) | 交換結合バイアス / 反強磁性 / 臨界膜厚 / 磁壁 / スピン構造 |
| キーワード(英) | exchange bias / antiferromagnetic / critical thickness / magnetic domain wall / spin structure |
| 資料番号 | MR2009-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2009/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 交換結合膜の薄膜化による磁気ヘッド再生ギャップ長の低減(ハードディスクドライブ及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of Read Gap Length by Thin Exchange Bias Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 交換結合バイアス / exchange bias |
| キーワード(2)（和/英） | 反強磁性 / antiferromagnetic |
| キーワード(3)（和/英） | 臨界膜厚 / critical thickness |
| キーワード(4)（和/英） | 磁壁 / magnetic domain wall |
| キーワード(5)（和/英） | スピン構造 / spin structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三俣 千春 / Chiharu MITSUMATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立金属生産システム研究所 Production System Laboratory, Hitachi Metals |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐久間 昭正 / Akimasa SAKUMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻 Dpt. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 深道 和明 / Kazuaki FUKAMICHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学多元物質科学研究所 Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univ. |
| 発表年月日 | 2009-11-13 |
| 資料番号 | MR2009-33 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 282 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |