| 講演名 | 2009/10/22 High Efficient MMIC High Power Amplifier for Ku Band Satellite Communications , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This paper presents a driver amplifier and two high power amplifiers applicable to transmitter blocks of Ku band earth terminals with high efficiency and high power. They are designed with an integrated gate bias circuit for easy integration due to single dc supply point and reliable performances with respect to the threshold voltage and temperature variation. To achieve low cost, these monolithic microwave integrated (MMIC) amplifiers are fabricated in a 4-mil thick substrate using commercial 0.5μm GaAs pHEMT technology. The measurements of the fabricated driver amplifier have shown a typical output power of 30.5dBm and a power added efficiency (PAE) of 37% over 13.5 to 15.0GHz that are enough to drive a high power amplifier. The two fabricated high gain power amplifiers exhibit a maximum saturated output power of 39.2dBm and PAE of 22.7% at 14.5GHz. Measurements confirm the improvement of output power performances of the MMIC amplifiers using integrated gate bias circuit with respect to the temperature conditions. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MMIC / high power amplifier / bias circuit / Ku band earth terminal / power amplifier |
| 資料番号 | SAT2009-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SAT |
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| 開催期間 | 2009/10/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Satellite Telecommunications (SAT) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Efficient MMIC High Power Amplifier for Ku Band Satellite Communications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Younsub Noh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | RF & Satellite Payload Research Team, ETRI |
| 発表年月日 | 2009/10/22 |
| 資料番号 | SAT2009-44 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 254 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |