| 講演名 | 2009-10-30 スパッタ法によるSrAl_2O_4薄膜の高速堆積法の検討(薄膜プロセス・材料,一般) 纐纈 正和, 久野 敬史, 齋藤 稔, 清水 英彦, 岩野 春男, 川上 貴浩, 福嶋 康夫, 永田 向太郎, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 対向ターゲット式スパッタ(FTS)法及びマグネトロンスパッタ(MS)法を用いて膜を堆積した後,3.0×10^<-3>Paまで排気した真空中,1000℃にて熱処理する方法により,SrAl_2O_4:Eu^<2+>,Dy^<3+>膜を作製するとともに,膜堆積法の違いによる堆積速度や薄膜の特性の検討を行った。その結果,堆積速度においては,FTS法よりMS法の方が速かった。しかし,MS法において酸素分圧を増加すると,堆積速度が減少し,酸素分圧0.1Paでは,FTS法とMS法による堆積速度は,ほぼ同じであった。また,FTS法を用いて膜を堆積した後,熱処理する方法により作製した膜は,MS法を用いた場合に比べ,結晶性及び発光特性の優れた膜が形成できることが分かった。これのことから,良好な特性を有するSrAl_2O_4:Eu^<2+>,Dy^<3+>膜の高速成膜を検討するには,FTS法を用いて検討することが重要であると考えられた。 |
| 抄録(英) | In order to examine deposition rate and characteristics of thin films, SrAl_2O_4:Eu^<2+>,Dy^<3+> thin films was attempted by post-annealing in vacuum less than 3.0×10^-<3>Pa of the films deposited with facing target sputtering (FTS) method and magnetron sputtering (MS) method. As a result, the deposition rate was faster MS method than FTS method. But deposition rate of the films decreases as oxygen partial pressure increases. With 0.1Pa of oxygen partial pressure, deposition rate by the FTS method was approximately equal to that by the MS method. Compared with the films by post-annealing in vacuum of the films deposited with MS method, the films by that of the films deposited with FTS method had good crystallinity and high luminescence. To examine deposition rate of SrAl_2O_4:Eu^<2+>,Dy^<3+> thin films with good characteristic, it was thought that film formation by FTS method was important. |
| キーワード(和) | SrAl_2O_4:Eu^<2+>,Dy^<3+>薄膜 / 長残光性蛍光体 / スパッタ法 / 真空中熱処理 |
| キーワード(英) | SrAl_2O_4: Eu^<2+>,Dy^<3+> thin films / long-lasting phosphorescence / sputtering method / post-annealing in vacuum |
| 資料番号 | CPM2009-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2009/10/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ法によるSrAl_2O_4薄膜の高速堆積法の検討(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of high speed deposition method for SrAl_2O_4 thin films by sputtering method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrAl_2O_4:Eu^<2+>,Dy^<3+>薄膜 / SrAl_2O_4: Eu^<2+>,Dy^<3+> thin films |
| キーワード(2)（和/英） | 長残光性蛍光体 / long-lasting phosphorescence |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタ法 / sputtering method |
| キーワード(4)（和/英） | 真空中熱処理 / post-annealing in vacuum |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 纐纈 正和 / Masakazu KOKETSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久野 敬史 / Takashi KUNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 稔 / Minoru SAITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / Hidehiko SHIMIZU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩野 春男 / Haruo IWANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川上 貴浩 / Takahiro KAWAKAMI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 福嶋 康夫 / Yasuo FUKUSHIMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 永田 向太郎 / Kotaro NAGATA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 2009-10-30 |
| 資料番号 | CPM2009-100 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 256 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |