| 講演名 | 2009-10-29 ディッピング法によって溶液から析出するC_<60>結晶成長 : ハイパフォーマンス・ナノスケール電界効果型C_<60>トランジスタの簡易作製を目指して(薄膜プロセス・材料,一般) 岩田 展幸, 栗原 浩平, 飯尾 靖也, 山本 寛, |
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| 抄録(和) | スパッタ法により熱酸化Si基板上に金電極を成膜した。基板はアセトン、エタノールに洗浄した。その後、オゾン処理、アルキル基によって終端した基板を用意した。また、金電極はアルキル基、ヒドロキシル基、フェニル基による終端、オゾン処理を行った。トルエンにC_<60>粉末を飽和させた溶液に金電極をスパッタした基板をディッピングし、電極間に直接C_<60>結晶を成長させた。未処理のSiO_2、オゾン処理、ヒドロキシル基で終端された親水性の表面には、針状のC_<60>結晶が成長した。一方、アルキル基で終端された疎水性の表面には粒子状のC_<60>結晶が成長した。フェニル基で終端された金電極表面付近でより多くの針状C_<60>結晶が成長した。中でも、基板をアルキル基、金電極をオゾン処理した電極間に、幅約4μmの針状C_<60>結晶が架橋した。C_<60>結晶成長はディッピング速度、電極形状、表面処理により変化することがわかった。 |
| 抄録(英) | Gold electrode was sputtered on thermal oxidized Si substrates. Substrates were ultrasonically rinsed with acetone and ethanol before sputtering. Immediately, substrate surface was treated by ozone, and was terminated by alkyl. Electrode surface of Au was terminated by alkyl, hydroxyl, phenyl group, and treated by ozone. The Au sputtered substrate was dipped into C_<60> saturation solution with toluene solvent to grow C_<60> crystal. On the hydrophilic surface of bare SiO_2, ozone treatment, terminated by hydroxyl group, needle-like (NL) C_<60> crystal grew. On the hydrophobic surface treated by alkyl group, C_<60> particles grew. Around Au surface terminated by phenyl group, rather large amount of the NL C_<60> grew. The NL C_<60> with approximately 4μm in width bridged the gap between Au electrodes in particular on the surface of alkyl terminated substrate and ozone treated Au electrodes. The shape of grown C_<60> crystal depended on the dipping speed, form of the Au electrodes, and surface treatment. |
| キーワード(和) | C_<60> / ディッピング / 簡易作製 / 表面処理 / 電界効果型トランジスタ |
| キーワード(英) | C_<60> / Dipping / Simple Synthesis Method / Surface Treatment / Field Effect Transistor |
| 資料番号 | CPM2009-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2009/10/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ディッピング法によって溶液から析出するC_<60>結晶成長 : ハイパフォーマンス・ナノスケール電界効果型C_<60>トランジスタの簡易作製を目指して(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Growth of C_<60> Precipitated from Solution by Dipping Method : For C_<60> field effect transistor with high performance and nano-scale by simple synthesis method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | C_<60> / C_<60> |
| キーワード(2)（和/英） | ディッピング / Dipping |
| キーワード(3)（和/英） | 簡易作製 / Simple Synthesis Method |
| キーワード(4)（和/英） | 表面処理 / Surface Treatment |
| キーワード(5)（和/英） | 電界効果型トランジスタ / Field Effect Transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 栗原 浩平 / Kouhei Kurihara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯尾 靖也 / Yasunari Iio |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
| 発表年月日 | 2009-10-29 |
| 資料番号 | CPM2009-95 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 256 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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