| 講演名 | 2009-09-03 (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関(有機材料,一般) 石黒 雅人, 伊藤 裕哉, 高原 知樹, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩, |
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| 抄録(和) | 有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane(TCNQ)により形成される電荷移動錯体で、330Kで金属-絶縁体転移を起こすことが知られている。この(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶を活性層とした電界効果トランジスタを作製したところ、バルクには見られない特性として、285Kでの電界効果移動度の急激な増加を観測した。また、285K以下の温度領域において強誘電体的な分極が発現することを見出した。 |
| 抄録(英) | Organic Mott insulator (BEDT-TTF)(TCNQ) is a charge transfer complex composed of BEDT-TTF (donor molecule) and TCNQ (acceptor molecule), which shows metal-insulator transition at 330K. The temperature dependence of the field effect transistor (FET) characteristics were investigated for (BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET. The field effect electron and hole mobility abruptly increased at 285K, which had not been observed in the bulk crystal. In addition, the ferroelectric-like polarization was observed below 285K. |
| キーワード(和) | 電界効果トランジスタ / 電荷移動錯体 / モット絶縁体 / 電界誘起相転移 / 強誘電体 |
| キーワード(英) | Field effect transistor / Charge transfer complex / Mott insulator / Ferroelectricity |
| 資料番号 | OME2009-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2009/8/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関(有機材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between carrier conduction and dielectric properties of (BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET around phase transitions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 電荷移動錯体 / Charge transfer complex |
| キーワード(3)（和/英） | モット絶縁体 / Mott insulator |
| キーワード(4)（和/英） | 電界誘起相転移 / Ferroelectricity |
| キーワード(5)（和/英） | 強誘電体 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石黒 雅人 / Masato ISHIGURO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 裕哉 / Yuya ITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高原 知樹 / Tomoki TAKAHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 酒井 正俊 / Masatoshi SAKAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu NAKAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro KUDO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2009-09-03 |
| 資料番号 | OME2009-39 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 184 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |