| 講演名 | 2009-09-25 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器 重松 寿生, 井上 雄介, 赤瀬川 章彦, 増田 哲, 山田 全男, 金村 雅仁, 多木 俊裕, 牧山 剛三, 岡本 直哉, 今西 健治, 吉川 俊英, 常信 和清, 原 直紀, |
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| 抄録(和) | 本論文では0.25μm GaN-HEMTを用いた超100W出力のX帯高出力増幅器および0.8μm GaN-HEMTを用いた超340W出力のC帯高出力増幅器について報告する。増幅器は2チップ構成とし、帯域を拡大するために3段のインピーダンス変換回路を用いた。チップ直近の入出力の伝送線路は高周波における熱不均一を抑制するために各々のチップに対して4分割した構造とした。この結果、9.8GHzにおいて101Wの出力と53%の電力付加効率を得た。これはこれまでに報告されている超50W出力のX帯増幅器で最高の付加効率である。また4.8GHzにおいて343Wの出力と53%の電力付加効率を得た。これもまたこれまでに報告されている1パッケージC帯高出力増幅器で最高の出力である。 |
| 抄録(英) | In this paper, we report an X-band power amplifier with over 100-W output power using 0.25-μm GaN-HEMTs and a C-band power amplifier with over 340-W output power using 0.8-μm GaN-HEMTs. We used two-chip configurations and the three-stage impedance transformers to extend the bandwidth for both circuits. The input and output lines adjacent to each chip are divided by four to suppress the non-uniform heat distribution in a chip at high frequencies. As a result, we obtained 101-W output power and 53-% PAE at 9.8GHz. This is the highest PAE ever reported X-band power amplifiers with over 50-W output power. We also obtained 343-W output power and 53-% power added efficiency (PAE) at 4.8GHz. This is also the highest output power ever reported C-band power amplifiers. |
| キーワード(和) | C帯 / X帯 / GaN / 高出力 / 高効率 / 増幅器 |
| キーワード(英) | C-band / X-band / GaN / high output power / high efficiency / amplifier |
| 資料番号 | MW2009-86 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2009/9/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-band 340-W and X-band 100-W GaN Power Amplifiers with Over 50-% PAE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | C帯 / C-band |
| キーワード(2)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | 高出力 / high output power |
| キーワード(5)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(6)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 重松 寿生 / Hisao SHIGEMATSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 雄介 / Yusuke INOUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤瀬川 章彦 / Akihiko AKASEGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 増田 哲 / Satoshi MASUDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山田 全男 / Masao YAMADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya OKAMOTO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 発表年月日 | 2009-09-25 |
| 資料番号 | MW2009-86 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 210 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |