| 講演名 | 2009-09-25 直列接続負荷形GaN HEMTマイクロ波ドハティ電力増幅器の設計・試作 河合 慧, 高山 洋一郎, 石川 亮, 本城 和彦, |
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| 抄録(和) | 広いダイナミックレンジで高効率動作が期待出来るマイクロ波電力増幅器としてドハティ増幅器が注目されている.ドハティ増幅器は並列接続負荷形,直列接続負荷形の2種類の構成がドハティにより提案されているが,その回路構成の容易さから,マイクロ波帯においては今まで並列接続負荷形ばかりが検討されてきた.本研究では1.9GHz帯における直列接続負荷形GaN HEMTドハティ電力増幅器について設計,試作検証を行った.従来のプッシュプル増幅器(シミュレーション)が,出力電力24dBmにおいて付加電力効率15%,飽和出力34dBmにおいて57%に比べて,ドハティ増幅器(実験)は出力電力24dBmにおいて付加電力効率31%,飽和出力31dBmにおいて56%の良好な特性を得たので報告する. |
| 抄録(英) | Doherty amplifiers are expected as a high-efficiency microwave power amplifier at a wide dynamic range. Doherty introduced two types of concepts for high-efficiency amplifiers in 1939. One involved a shunt connected load and the other involved a series connected load. The first one is well known. We proposed a microwave Doherty power amplifier with a series connected load using baluns. A 1.9GHz GaN HEMT Doherty power amplifier was designed and fabricated. At 24dBm middle and 31dBm saturated output powers, the amplifier realized improved power efficiencies of 31% and 56%, respectively, compared to power efficiencies of 15% at 24dBm output power and 57% at 34dBm saturated power, respectively, obtained with a reference push-pull amplifier. |
| キーワード(和) | ドハティ増幅器 / 直列接続負荷形 / マイクロ波電力増幅器 / GaN HEMT / バラン |
| キーワード(英) | Doherty amplifier / series connected load type / microwave power amplifiers / GaN HEMT / balun |
| 資料番号 | MW2009-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2009/9/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直列接続負荷形GaN HEMTマイクロ波ドハティ電力増幅器の設計・試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and Fabrication for a GaN HEMT Microwave Doherty Power Amplifier with a Series Connected Load |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドハティ増幅器 / Doherty amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 直列接続負荷形 / series connected load type |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロ波電力増幅器 / microwave power amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | バラン / balun |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河合 慧 / Satoshi KAWAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高山 洋一郎 / Yoichiro TAKAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 亮 / Ryo ISIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 本城 和彦 / Kazuhiko HONJO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
| 発表年月日 | 2009-09-25 |
| 資料番号 | MW2009-85 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 210 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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