| 講演名 | 2009-09-25 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO 田辺 昭, 肱岡 健一郎, 長瀬 寛和, 林 喜宏, |
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| 抄録(和) | 3次元ソレノイド型インダクタを用いて、低電力・超小型の5GHzのLC-VCOとそれを組み込んだPLLを開発した。90nmノードのロジックCMOSプロセスで試作したLC-VCOのチップ面積は2597μm^2と従来のLC-VCOの1/10以下で、リングオシレータと同程度である。電源電圧1Vでの消費電力はわずか2.8mWで、位相ノイズは-103dBc/Hz(@1MHz offset)であり、従来のリングオシレータを上回る性能指数(Figure of Merit)173dBが得られた。また、このLC-VCOでPLLを開発し、rmsジッタ1.2psという低ジッタが実現できた。 |
| 抄録(英) | An extra small area, low-power 5GHz Quadrature LC-VCO and PLL have been fabricated using 3 dimensional (3D) solenoid shaped inductor in 90nm digital CMOS process. Because of the miniature 3D inductors, the chip area of LC-VCO is reduced to only 2597μm^2, which is about 1/10 of the reported smallest LC-VCOs and as small as that of ring oscillators. The phase noise of this LC-VCO is -103dBc/Hz at 1MHz offset, consuming only 2.8mW power at 1V supply voltage because of the small energy loss owing to the 3D inductor. Figure of Merit (FOM) of 173dB is better than ring oscillators. The PLL using this LC-VCO achieved 1.2ps jitter with the chip area as small as that of ring oscillators. |
| キーワード(和) | LC-VCO / PLL / インダクタ / CMOS |
| キーワード(英) | LC-VCO / PLL / Inductor / CMOS |
| 資料番号 | MW2009-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2009/9/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low-Power, Small Area Quadrature LC-VCO using miniature 3D Solenoid shaped Inductor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LC-VCO / LC-VCO |
| キーワード(2)（和/英） | PLL / PLL |
| キーワード(3)（和/英） | インダクタ / Inductor |
| キーワード(4)（和/英） | CMOS / CMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 昭 / Akira TANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所 LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 肱岡 健一郎 / Ken'ichiro HIJIOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所 LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長瀬 寛和 / Hirokazu NAGASE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所 LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 林 喜宏 / Yoshihiro HAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所 LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2009-09-25 |
| 資料番号 | MW2009-83 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 210 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |