講演名 2009-09-25
60GHz帯CMOSフェーズドアレイ送信機
岸本 修也, 折橋 直行, 濱田 康宏, 伊東 正治, 丸橋 建一,
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抄録(和) 60GHz帯フェーズドアレイ送信機を標準90nm CMOSプロセス技術を用いて開発し、1x6アレイアンテナへ接続してビームステアリングの実証を行った。送信機は位相同期発振器と6つのRF回路(直交変調器、高利得増幅器、送信増幅器)から構成され、各RF回路は6つの各アンテナへ接続される。直交変調器へ入力されるベースバンド信号の経路を切換えることで、RF信号の位相を90°ステップで制御できる位相制御回路を開発した。各RF回路の性能は、P1dBが0dBm、変換利得が15dB、3dB帯域が600MHzであった。ローカル信号の1MHz離れの位相雑音は-80dBc/Hzであった。送信機をアンテナへ接続した送信モジュールにおいて、放射角が0°から60°までビームステアリング特性を観測した。送信機チップのサイズは5mmx2.5mmであり、消費電力は翻電圧1.0Vで960mWであった。
抄録(英) A 60-GHz band phased array transmitter is developed based on standard 90-nm CMOS process and beam steering function is demonstrated using a transmitter module with a 1x6 array antenna. The transmitter includes a phase locked oscillator and 6 RF circuits which consist of an orthogonal modulator, a high gain amplifier, and a power amplifier. Each of RF circuits connects to each antenna directly. An RF signal phase is changed every 90-degree by switching paths of a baseband signal which are delivered to the orthogonal modulator. Each of the RF circuits typically exhibits a power of 0dBm at 1-dB compression point, a conversion gain of 15dB, and a 3-dB bandwidth of 600MHz. The phase noise is -80dBc/Hz at 1MHz offset. The beam steering from 0 to 60 degree is observed. The chip size is 5mmx2.5mm. The circuit consumes 960mW at 1.0V supply.
キーワード(和) 60GHz帯フェーズドアレイ送信機 / 90nm CMOS / ベースバンド信号経路切り換え / ビームステアリング
キーワード(英) 60GHz-band phased array transmitter / 90-nm CMOS / switching baseband signal paths / beam steering
資料番号 MW2009-81
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2009/9/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 60GHz帯CMOSフェーズドアレイ送信機
サブタイトル(和)
タイトル(英) 60GHz-band CMOS Phased Array Transmitter
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 60GHz帯フェーズドアレイ送信機 / 60GHz-band phased array transmitter
キーワード(2)(和/英) 90nm CMOS / 90-nm CMOS
キーワード(3)(和/英) ベースバンド信号経路切り換え / switching baseband signal paths
キーワード(4)(和/英) ビームステアリング / beam steering
第 1 著者 氏名(和/英) 岸本 修也 / Shuya KISHIMOTO
第 1 著者 所属(和/英) NECデバイスプラットフォーム研究所
Device Platforms Research Laboratories, NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 折橋 直行 / Naoyuki ORIHASHI
第 2 著者 所属(和/英) NECデバイスプラットフォーム研究所
Device Platforms Research Laboratories, NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 濱田 康宏 / Yasuhiro HAMADA
第 3 著者 所属(和/英) NECデバイスプラットフォーム研究所
Device Platforms Research Laboratories, NEC Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 伊東 正治 / Masaharu ITO
第 4 著者 所属(和/英) NECデバイスプラットフォーム研究所
Device Platforms Research Laboratories, NEC Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 丸橋 建一 / Kenichi MARUHASHI
第 5 著者 所属(和/英) NECデバイスプラットフォーム研究所
Device Platforms Research Laboratories, NEC Corporation
発表年月日 2009-09-25
資料番号 MW2009-81
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 210
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日