| 講演名 | 2009-08-20 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 黄 晋二, 藤野 寛之, 河口 仁司, |
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| 抄録(和) | 半導体レーザの活性層において電子スピン偏極を生じさせることにより、光学遷移選択則を介した円偏光レーザ発振が可能となる。GaAs(110)基板上の量子井戸は、数nsに及ぶ長い電子スピン緩和時間が得られるため、円偏光でレーザ発振するスピン半導体レーザの実現に有利な系である。我々は、GaAs(110)基板上のInGaAs/GaAs量子井戸を活性層とする面発光半導体レーザ(VCSEL)を作製し、そのレーザ発振特性を評価した。円偏光パルスによって活性層中にスピン偏極電子を生成し、世界初の(110)スピンVCSELにおける円偏光レーザ発振に成功した。77Kでは、活性層における長い電子スピン緩和時間(2.8ns)を反映し、0.94という極めて高い円偏光度のレーザ発振が観測された。 |
| 抄録(英) | Electron spin polarization in the active layers of semiconductor lasers can lead to circularly polarized lasing via the optical selection rule. Long spin relaxation time (τ_S) is a major advantage for such spin lasers because the spin polarization can be maintained for a long time. From a viewpoint of τ_S, (110)-oriented quantum wells (QWs) have attracted attention because τ_S is one-order of magnitude longer than that in (110)-oriented QWs. We fabricated and characterized a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) based on (110)-oriented InGaAs/GaAs QWs. Circularly polarized lasing in the (110) VCSEL by optical injection of spin-polarized electrons has been demonstrated at 77K and room temperature. A high degree of circular polarization, 0.94, was observed at 77K, reflecting the long electron spin relaxation time (～2.8ns) in the (110)-oriented QWs. |
| キーワード(和) | スピントロニクス / 面発光半導体レーザ(VCSEL) / (110)量子井戸 / 円偏光レーザ発振 |
| キーワード(英) | Spintronics / Vertical-cavity surface-emitting laser / (110)-oriented quantum well / Circularly polarized lasing |
| 資料番号 | EMD2009-42,CPM2009-66,OPE2009-90,LQE2009-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/8/13(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optically pumped circularly polarized lasing in a vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (110) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピントロニクス / Spintronics |
| キーワード(2)（和/英） | 面発光半導体レーザ(VCSEL) / Vertical-cavity surface-emitting laser |
| キーワード(3)（和/英） | (110)量子井戸 / (110)-oriented quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | 円偏光レーザ発振 / Circularly polarized lasing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黄 晋二 / Shinji KOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤野 寛之 / Hiroshi FUJINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河口 仁司 / Hitoshi KAWAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2009-08-20 |
| 資料番号 | EMD2009-42,CPM2009-66,OPE2009-90,LQE2009-49 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 176 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |