| 講演名 | 2009-08-20 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 天野 建, 菅谷 武芳, 小森 和弘, 森 雅彦, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EMD2009-39,CPM2009-63,OPE2009-87,LQE2009-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/8/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low threshold current operation of 1.3μm high density quantum dot laser |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 天野 建 / Takeru Amano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅谷 武芳 / Takeyoshi Sugaya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小森 和弘 / Kazuhiro Komori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森 雅彦 / Masahiko Mori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 発表年月日 | 2009-08-20 |
| 資料番号 | EMD2009-39,CPM2009-63,OPE2009-87,LQE2009-46 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 176 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |