| 講演名 | 2009-08-20 ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 鈴木 勇介, 川島 史裕, 斉藤 泰仁, 下村 和彦, |
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| 抄録(和) | キャリアを0次元に閉じ込める構造を持つ量子ドットは独特な特性を持つとされている.そして量子ドットはレーザやLEDのような様々な半導体光デバイスの性能を向上すると考えられている.量子井戸構造をでは高さ方向の一次元でのみエネルギー準位を制御可能であるが,一方で量子ドットでは三次元的な制御が可能であり,より広い範囲の波長制御が可能である.このことから広帯域な波長を放出する光源は1.55μm通信波長帯域を含む波長分割多重(WDM)や2.0μm付近の環境ガスセンサ,光干渉断層計などで応用可能である.今回の研究では,MOVPE選択成長法とダブルキャップ法による量子ドットアレイ構造を用いた400nmを超える量子ドットLEDの広帯域なEL発光特性を示す. |
| 抄録(英) | Semiconductor self-assembled quantum dots (QDs) that have zero-dimensional carrier confinement structure are predicted to have unique physical properties. And these QDs are expected to increase the performance of various semiconductor optical devices such as laser or LED. By using the semiconductor quantum well structure, only one dimension of the height can be controlled the quantum energy level, on the other hand, in the QDs structure, the three-dimensional control of the energy level is possible, and we can obtain the more wide wavelength control. For this reason, The wide wavelength emission source can be applied, such as very wideband wavelength division multiplex (WDM) system, including the 1.55μm optical telecommunication wavelength, the environmental gas detecting in the longer wavelength near the 2.0μm,and the light source for optical coherence tomography. In this study, we show the wideband wavelength electro luminescence (EL) more than 400nm of quantum dot LED using selective MOVPE growth and double-cap procedure. |
| キーワード(和) | 有機金属気相成長法 / 量子ドット / 選択成長法 / ダブルキャップ法 |
| キーワード(英) | Metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) / Quantum Dots (QDs) / selective area growth / double-cap procedure |
| 資料番号 | EMD2009-38,CPM2009-62,OPE2009-86,LQE2009-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/8/13(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InAs QDs Wideband LED by Selective MOVPE Growth using Double-Cap Procedure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属気相成長法 / Metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dots (QDs) |
| キーワード(3)（和/英） | 選択成長法 / selective area growth |
| キーワード(4)（和/英） | ダブルキャップ法 / double-cap procedure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 勇介 / Yusuke SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川島 史裕 / Fumihiro KAWASHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 斉藤 泰仁 / Yasuhito SAITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 下村 和彦 / Kazuhiko SHIMOMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 発表年月日 | 2009-08-20 |
| 資料番号 | EMD2009-38,CPM2009-62,OPE2009-86,LQE2009-45 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 176 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |