| 講演名 | 2009-08-20 InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 牛込 基, 荒川 太郎, 多田 邦雄, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 低い印加電界で大きな屈折率変化を得ることができるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)をコア層に用いたY分岐マッハ・ツェンダー光変調器を分子線エピタキシー法及びウェットプロセスで作製し,1.55μm,TEモードにおいて低電圧変調動作(V_π・L=1.2Vmm)を確認した.変調動作に寄与した屈折率変化はFACQWにおける特殊な量子閉じ込めシュタルク効果であると考えられる.また,変調特性の更なる効率化を目指しFACQWポテンシャル構造の再設計を試みた.その結果,基礎吸収端波長をブルーシフトさせることで動作波長帯域における吸収損失を低減し,かつより低電圧での変調動作が期待できるFACQWポテンシャル構造を見出すことができた. |
| 抄録(英) | Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW) is a potential tailored quantum well suited for high-performance optical modulators and switches. InGaAs/InAlAs FACQW Mach-Zehnder optical modulators were fabricated by molecular beam epitaxy and low-voltage DC operation (V_πL=1.2Vmm) at 1.55μm was obtained. The large refractive change is mainly due to the unique quantum confined Stark effect (QCSE) of the FACQW. In addition, we redesigned the FACQW structure to reduce the operation voltage. As a result, a new FACQW structure with lower absorption loss and lower operation voltage was found. The electrorefractive effect of the new FACQW structure was theoretically discussed. |
| キーワード(和) | 量子井戸 / InGaAs / 五層非対称結合量子井戸 / 光変調器 / 光スイッチ / 電界誘起屈折率変化 |
| キーワード(英) | Quantum Well / InGaAs / Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well / Optical Modulator / Optical Switch / Electrorefractive Effect |
| 資料番号 | EMD2009-26,CPM2009-50,OPE2009-74,LQE2009-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2009/8/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Property Improvement of InGaAs/InAlAs Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸 / Quantum Well |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 五層非対称結合量子井戸 / Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| キーワード(4)（和/英） | 光変調器 / Optical Modulator |
| キーワード(5)（和/英） | 光スイッチ / Optical Switch |
| キーワード(6)（和/英） | 電界誘起屈折率変化 / Electrorefractive Effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牛込 基 / Motoki USHIGOME |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学大学院工学研究院 Graduate School of Eng., Yokohama National Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒川 太郎 / Taro ARAKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学大学院工学研究院 Graduate School of Eng., Yokohama National Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 多田 邦雄 / Kunio TADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Eng., Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2009-08-20 |
| 資料番号 | EMD2009-26,CPM2009-50,OPE2009-74,LQE2009-33 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 176 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |