| 講演名 | 2009-06-26 Novel Capacitorless DRAM Cell for Low Voltage Operation and Long Data Retention Time , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A capacitorless dynamic random access memory (DRAM) cell is proposed for low voltage operation with device scaling-down. The proposed DRAM cell features low body doping concentration and recessed gate. Low doping body is introduced to use punch-through as a program mechanism. Punch-through occurs easily in the case of low doping body concentration. Therefore low doping body allows high speed operation in spite of low operation voltage. However low doping body leads to severe drain induced barrier lowering (DIBL). DIBL reduces data retention time. Recessed gate structure can suppress DIBL and increase data retention time. Finally, The proposed capacitorless DRAM cell has long data retention time and operates with low operating voltage. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | low voltage / retention time / capacitorless DRAM / recessed gate / low doping body |
| 資料番号 | ED2009-99,SDM2009-94 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Novel Capacitorless DRAM Cell for Low Voltage Operation and Long Data Retention Time |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / low voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Woojun Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of Electronic Eng., Sogang Univ. |
| 発表年月日 | 2009-06-26 |
| 資料番号 | ED2009-99,SDM2009-94 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |