| 講演名 | 2009-06-26 Enhancement of the programming speed in SANOS nonvolatile memory device designed utilizing Al_2O_3 and SiO_2 stacked tunneling layers , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The programming characteristics of polysilicon-aluminum oxide-nitride-oxide-silicon (SANOS) nonvolatile memory devices with Al_2O_3 and SiO_2 stacked tunneling layers were investigated. The electron and hole drifts in the Si_3N_4 layer were calculated to determine the program speed of the proposed SANOS devices by using the two band model taking into account Shockley-Reed statistics for the trap population, the continuity equation for the charge transport, and the Poisson equation for the electric field. Simulation results showed that enhancement of the programming speed in polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon was achieved by utilizing SiO_2 and Al_2O_3 stacked tunneling layers and the top Al_2O_3 blocking layer. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SANOS / SONOS / charge transport / silicon nitride / stacked tunneling layer |
| 資料番号 | ED2009-98,SDM2009-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/6/17(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Enhancement of the programming speed in SANOS nonvolatile memory device designed utilizing Al_2O_3 and SiO_2 stacked tunneling layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SANOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / H. W. Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University |
| 発表年月日 | 2009-06-26 |
| 資料番号 | ED2009-98,SDM2009-93 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |