| 講演名 | 2009-06-26 Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We propose a simple method for the fabrication of Si single-electron transistors (SET) with coupled dots by means of pattern-dependent oxidation (PADOX). It is well known that the PADOX convert a small one-dimensional Si wire formed on a silicon-on-insulator (SOI) substrate into a SET automatically. We demonstrated a fabrication of a double-dot Si SET when we oxidized specially designed Si nanowires formed on SOI substrates. We analyzed the measured electrical characteristics by fitting the simulation results and confirmed the double-dot formation and the position of the two dots in the Si wire. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | single electron / Coulomb blockade / double dot / silicon / SOI |
| 資料番号 | ED2009-94,SDM2009-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / single electron |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Mingyu Jo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 発表年月日 | 2009-06-26 |
| 資料番号 | ED2009-94,SDM2009-89 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |