| 講演名 | 2009-06-26 Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Recent our progress in the lateral liquid-phase epitaxy of Ge-on-insulator (GOI) using Si seeds has been reviewed. Giant single-crystalline GOI(100) structures with ～400μm length are obtained using Si(100), (110), and (111) seeds. The very long growth is explained on the basis of the solidification temperature gradient due to Si-Ge mixing around the seeding area and the thermal gradient due to the latent heat around the solid/liquid interface at the growth front. In addition, growth with rotating crystal orientations observed for samples with Si(111) seeds is investigated. The rotation angle depends on the growth direction in plane to the surface. The rotation angle changes with a 60° period and becomes 0° and about 30° for <011> and <121> directions, respectively. The rotating growth is explained on the basis of the bonding strength between lattice planes at the growth front. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2009-91,SDM2009-86 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / T. Sadoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2009-06-26 |
| 資料番号 | ED2009-91,SDM2009-86 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |