| 講演名 | 2009-06-25 Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Soft x-ray-excited angle-resolved photoemission results for nitride films formed using nitrogen-hydrogen radicals on Si(100), Si(111), and Si(110) are reported. The Si_3N_4/Si interfaces on all three surfaces are compositionally abrupt. This conclusion is based on 1) the observation that no Si atoms bonded with three N atoms and one Si atom were detected, 2) the observation that the number of Si-H bonds at the Si_3N_4/Si(110) interface is 38～53% larger than those at the Si_3N_4/Si(100) and Si_3N_4/Si(111) interfaces indicates a dependence of the interface structure on the orientation of the substrate. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | silicon nitride film / interface structure / soft x-ray-excited photoemission |
| 資料番号 | ED2009-86,SDM2009-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / silicon nitride film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Tomoyuki SUWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2009-06-25 |
| 資料番号 | ED2009-86,SDM2009-81 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |