| 講演名 | 2009-06-25 MOS Transistors fabricated on Si(551) surface based on radical reaction processes , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Though the electron mobility in the channel of MOSFET on Si(100) surface which is currently used for LSI devices is largest of all, the hole mobility is smallest. We have reported that the high quality gate insulator films can be formed on any oriented silicon surfaces by using radical oxidation and radical nitridation. Then, We can use Si(551) surface for fabricating the LSI devices. Si(551) is a surface orientation where 8゜ off from the Si(110) in <100> direction and is hard to be roughened by alkali solutions. The hole mobility in Si(551) surface is almost as large as Si(110). We demonstrate the high performance CMOS by fabricating accumulation mode MOSFETs on Si(551) surface. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | silicon / surface orientation / MOSFET / mobility / SOI / accumulation mode |
| 資料番号 | ED2009-84,SDM2009-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOS Transistors fabricated on Si(551) surface based on radical reaction processes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / silicon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / A. Teramoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2009-06-25 |
| 資料番号 | ED2009-84,SDM2009-79 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |