| 講演名 | 2009-06-24 Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Magnetic tunnel junctions (MTJs) with highly oriented (001) MgO barrier/CoFeB ferromagnetic electrodes have attracted much interest because of the application to eco-friendly spin devices such as magnetoresisitive random access memories and nonvolatile logics with low-power consumption. We here describe giant tunnel magnetoresistance (TMR) ratio at room temperature (RT) and current-induced magnetization switching (CIMS) at relatively low critical current density J_C for the MgO barrier MTJs. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Tunnel magnetoresistance / current-induced magnetization switching / MgO / CoFeB / synthetic ferrimagnetic free layer |
| 資料番号 | ED2009-51,SDM2009-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Tunnel magnetoresistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Shoji IKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2009-06-24 |
| 資料番号 | ED2009-51,SDM2009-46 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |