| 講演名 | 2009-07-23 内部光電子放出法を用いたAlq_3と陰極界面の電子注入障壁高さの評価(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般) 高石 真也, 伊東 栄次, |
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| 抄録(和) | 本研究ではITO/TiO_2/IL/Alq_3/陰極構造の"electron-only device"を作成して、内部光電子放出法を用いて、Alq_3/陰極界面の電子注入障壁の評価を行った。陰極をMgAg、Al、Ag、Auとしたときの電子注入障壁高さはそれぞれ0.86、1.O5、1.3、1.55eVと見積もられた。この障壁高さと電極材料の仕事関数、電気陰性度との関係は線形成を示し、特に電気陰性度の関係でスロープパラメーターは0.6となった。これはAlq_3/陰極界面でのギャップ内準位によるものと考えられる。 |
| 抄録(英) | We have investigated electron injection barrier height at aluminum tris (8-hydroxy-quinoline) (Alq_3)/cathode interfaces by internal photoemission (IPE) measurement. A three layered device consisting of ITO/TiO_2/IL/Alq_3/cathode structure was used to fabricate the "electron-only device". The measured barrier heights were 0.86, 1.05, 1.3 and 1.55eV for MgAg, Al, Ag and Au electrodes. Barrier height showed linear relationship with work-function and electro-negativity of cathode materials. The slope parameter of 0.6 with electro-negativity was attributed to the interfacial charge transfer through the mid gap electronic states at the cathode/Alq_3 interface. |
| キーワード(和) | 内部光電子放出法 / 障壁高さ / Alq_3 / electron-only device |
| キーワード(英) | internal photoemission / barrier height / Alq_3 / electron only device |
| 資料番号 | OME2009-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2009/7/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 内部光電子放出法を用いたAlq_3と陰極界面の電子注入障壁高さの評価(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of Electron Injection Barrier Height at Alq_3/Cathode Interface by Internal Photoemission Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 内部光電子放出法 / internal photoemission |
| キーワード(2)（和/英） | 障壁高さ / barrier height |
| キーワード(3)（和/英） | Alq_3 / Alq_3 |
| キーワード(4)（和/英） | electron-only device / electron only device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高石 真也 / Shinya Takaishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Shinshu University, Faculty of Engineering |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊東 栄次 / Eiji Itoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Shinshu University, Faculty of Engineering |
| 発表年月日 | 2009-07-23 |
| 資料番号 | OME2009-32 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 147 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |