| 講演名 | 2009-07-31 Si貫通ビアへの応用に向けた無電解めっき技術の研究(センサーデバイス,MEMS,一般) 井上 史大, 横山 巧, 山本 和広, 田中 秀吉, 新宮原 正三, |
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| 抄録(和) | 半導体メモリ等の大容量化にはシリコン基板を積層し、チップ間を貫通電極(TSV)で接続する三次元実装が不可欠な技術となっている。現在この貫通電極の多くはタングステンCVD法などにより形成されているが、今後はさらなる微細化の要求にがあるので、より低抵抗な銅を用いた貫通電極の形成が必要である。そこで本研究では、低温プロセスでありまた高アスペクト比貫通ビアホールへの埋め込み性に優れた、無電解めっきによる銅堆積法を提案する。各種添加剤を無電解めっき浴に加えることによる貫通ビア埋め込み特性を検討した結果、優れたコンフォーマル堆積特性が得られる条件が明らかとなった。 |
| 抄録(英) | In recent studies, The formation of through-Silicon via hole (TSV) which stacks multiple layers of thin Si substrates is one of the key technologies for the 3D integration. Tungsten formed by chemical vapor deposition (CVD) have been chosen for filling metals for TSVs. Cu-filling in TSV is an important technology because it enables the resistance of TSV to lower, compared with W filled one for one order of magnitude. We propose an alternative approach using the electroless plating of Cu. We succeeded in the perfect conformal deposition of Cu in a high aspect ratio TSV by adequate choice of additives. |
| キーワード(和) | 三次元実装 / Si貫通ビア / 無電解めっき / 銅配線 |
| キーワード(英) | 3D Integration / Through-Si Via / Electroless plating / Copper interconnect |
| 資料番号 | ED2009-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si貫通ビアへの応用に向けた無電解めっき技術の研究(センサーデバイス,MEMS,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of Electroless Copper Plating for Through Si Via Filling |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 三次元実装 / 3D Integration |
| キーワード(2)（和/英） | Si貫通ビア / Through-Si Via |
| キーワード(3)（和/英） | 無電解めっき / Electroless plating |
| キーワード(4)（和/英） | 銅配線 / Copper interconnect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 史大 / Fumihiro INOUE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院工学研究科 Kansai University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 横山 巧 / Takumi YOKOYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院工学研究科 Kansai University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 和広 / Kazuhiro YAMAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構未来ICT研究センター National Institute of Communication Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 秀吉 / Shukichi TANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構未来ICT研究センター National Institute of Communication Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 新宮原 正三 / Shoso SHINGUBARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院工学研究科 Kansai University |
| 発表年月日 | 2009-07-31 |
| 資料番号 | ED2009-111 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |